[实用新型]一种硅片运输装置有效
申请号: | 201720399083.5 | 申请日: | 2017-04-17 |
公开(公告)号: | CN207116390U | 公开(公告)日: | 2018-03-16 |
发明(设计)人: | 侯玉;韩少鹏;张春华;衡阳;李琰琪;王钰雅;郑旭然;邢国强 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/677 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 张海英,林波 |
地址: | 215129 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 运输 装置 | ||
1.一种硅片运输装置,包括车架,其特征在于,所述车架沿着竖直方向间隔设置有多层用于放置装硅片的花篮的底板,所述底板的一组相对设置的侧边分别设置有竖直向上延伸的边缘挡板框,所述底板的中部设置有竖直向上延伸的中间挡板框,所述中间挡板框与每一所述边缘挡板框之间均形成卡放花篮的空间,每个所述空间对应的所述中间挡板框的一侧面和所述边缘挡板框分别设置有配合所述花篮的P面结构的P面挡板和配合所述花篮的N面结构的N面挡板,位于所述边缘挡板框的所述P面挡板和/或所述N面挡板均与所述边缘挡板框为可活动连接。
2.根据权利要求1所述的硅片运输装置,其特征在于,所述中间挡板框和每一所述边缘挡板框之间均设置有与所述中间挡板框相交的多个隔板,多个所述隔板平行间隔设置,以将每个所述空间分隔为所述花篮进出的多个通道,每个所述通道的两端分别设置有一所述P面挡板和一所述N面挡板。
3.根据权利要求2所述的硅片运输装置,其特征在于,两个所述边缘挡板框分别为第一边缘挡板框和第二边缘挡板框,
所述第一边缘挡板框的第一开口处可拆卸安装有所述P面挡板,所述第二边缘挡板框的第二开口处可拆卸安装有所述N面挡板,所述中间挡板框的对应所述第一边缘挡板框的一侧面一体式形成有所述N面挡板,所述中间挡板框的对应所述第二边缘挡板框的另一侧面一体式形成有所述P面挡板;或
所述第一边缘挡板框的第一开口处可拆卸安装有所述N面挡板,所述第二边缘挡板框的第二开口处可拆卸安装有所述P面挡板,所述中间挡板框的对应所述第一边缘挡板框的一侧面一体式形成有所述P面挡板,所述中间挡板框的对应所述第二边缘挡板框的另一侧面一体式形成有所述N面挡板;或
所述第一边缘挡板框的第一开口处和所述第二边缘挡板框的第二开口 处均可拆卸安装有所述P面挡板,所述中间挡板框的两侧面均一体式形成有所述N面挡板;或
所述第一边缘挡板框的第一开口处和所述第二边缘挡板框的第一开口处均可拆卸安装有所述N面挡板,所述中间挡板框的两侧面均一体式形成有所述P面挡板。
4.根据权利要求1-3任一项所述的硅片运输装置,其特征在于,所述花篮的所述P面结构包括回字型的P面结构本体,所述P面结构本体的两个侧边和底边均开设有第一定位孔,顶边开设有半圆形的第二定位孔;
对应的,所述P面挡板包括回字型的P面挡板本体,所述P面挡板本体的其中两个侧边和底边均朝向所述空间内部延伸有第一凸起,顶边朝向所述空间内部延伸有半圆形的第二凸起;
所述第一凸起对应于所述第一定位孔,所述第二凸起对应于所述第二定位孔。
5.根据权利要求1-3任一项所述的硅片运输装置,其特征在于,所述花篮的所述N面结构包括U型的N面结构本体,所述N面结构本体的两个侧边和底边均开设有第三定位孔,顶部开口;
对应的,所述N面挡板包括回字型的N面挡板本体,所述N面挡板本体的两个侧边和底边均朝向所述空间内部延伸有第三凸起,顶边朝向所述空间内部延伸有长条形的第四凸起;
所述第三凸起对应于所述第三定位孔,所述第四凸起对应于所述开口。
6.根据权利要求1-3任一项所述的硅片运输装置,其特征在于,位于底层的所述底板呈V字型,所述中间挡板框与所述底板的连接线所处高度低于所述边缘挡板框与所述底板的连接线所处高度。
7.根据权利要求1-3任一项所述的硅片运输装置,其特征在于,位于顶层的所述底板的上方对应设置有盖板,所述盖板盖设于所述中间挡板框和所述边缘挡板框的顶部,以盖住所述空间。
8.根据权利要求1-3任一项所述的硅片运输装置,其特征在于,所述车架的前侧设置有把手。
9.根据权利要求1-3任一项所述的硅片运输装置,其特征在于,所述车架的底部设置有滚轮。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造