[实用新型]硅片快速冷却装置有效
申请号: | 201720397305.X | 申请日: | 2017-04-14 |
公开(公告)号: | CN206602103U | 公开(公告)日: | 2017-10-31 |
发明(设计)人: | 孙铁囤;汤平;姚伟忠 | 申请(专利权)人: | 常州亿晶光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18 |
代理公司: | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙)32258 | 代理人: | 郑云 |
地址: | 213000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 快速 冷却 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池生产技术领域,特别是涉及一种硅片快速冷却装置。
背景技术
在晶体硅太阳电池的生产过程中,硅片依次需要经过清洗、去损伤层、制绒、扩散、制结、刻蚀、沉积减反射膜、印刷、烧结等工序,使得硅片能够根据需要进行加工,硅片在加工过程中,由于硅片的电阻率不合格等原因需要将生产不合格的硅片进行分拣,现有的硅片在生产加工过程中由于加工工艺等原因,硅片的温度较高,硅片在传送过程中并未设置冷却机构,工人长周期的将硅片进行分拣,极大的增加了工人的劳动强度,工人在将硅片分拣的过程中经常会由于高温对工人造成伤害。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是:为了克服现有技术中硅片在传送过程中并未设置冷却机构的不足,本实用新型提供一种硅片快速冷却装置。
本实用新型解决其技术问题所要采用的技术方案是:一种硅片快速冷却装置,包括输送带以及设于所述输送带上用于承载硅片的铝制承载盒和用于冷却硅片的冷却机构,所述输送带沿长度方向上均匀设有多个所述承载盒,所述承载盒底部与所述输送带外表面固定连接,所述承载盒内设有空腔,所述承载盒远离所述输送带的一端设有开口,所述开口与所述空腔连通,所述承载盒内壁上铺设有一层薄膜,所述薄膜与所述承载盒内壁之间填充有冷却剂,所述冷却机构包括保温腔以及设于所述保温腔内的冷却管,所述保温腔沿所述输送带长度方向套设于所述输送带外侧,所述冷却管呈螺旋状绕设于所述输送带外侧,所述冷却管内设有冷却剂,所述冷却管两端与换热器连接。
输送带用于将硅片传送至下一道工序,承载盒用于承载硅片,一个承载盒内装设一片硅片,采用铝制承载盒是因为铝制材料热传导性能好,容易将硅片上的热量散发出去,承载盒内与薄膜之间设有冷却剂一方面用于防止硅片被承载盒刮伤起到缓冲防护作用,另一方面用于将硅片放入承载盒后冷却剂直接对硅片进行一级冷却降温,冷却管用于对经过保温腔内的硅片进行二级冷却降温,同时对因对硅片一级冷却降温而导致承载盒以及承载盒内的冷却剂温度升高的承载盒及冷却剂进行冷却降温,确保承载盒和承载盒内的冷却剂在输送带循环一圈后对下一组硅片可以进行一级降温,提高冷却效率,采用螺旋状的冷却管用于增大冷却管的冷却面积,提高冷却效率,保温腔用于防止冷却管与外界空气进行热交换,导致能量损失,换热器用于对冷却管内的冷却剂冷却降温。采用承载盒以及冷却机构,提高硅片散热效率,方便硅片的后续生产,提高生产效率。
进一步,为了确保硅片在冷却机构内冷却至合适温度,提高冷却机构的冷却效率,所述冷却机构包括两个所述冷却管,所述冷却管交叉设置于所述输送带外侧,两所述冷却管中冷却剂流向相反,所述冷却管中输入端向输出端方向螺距逐渐变大。冷却管内冷却剂的温度从输入端向输出端逐渐增高,所以将冷却管在输入端的螺距减小,提高冷却效率,而输出端因为冷却剂温度较高,冷却效率差,所以将冷却管螺距增大,减少不必要的无用功。
进一步,为了方便硅片与冷却管散发的冷气进行热交换,同时方便承载盒在拐角处可以拐向输送带下方,所述承载盒倾斜设于所述输送带上,倾斜角度设于45°~60°之间。
进一步,为了方便吸盘将硅片装进或取出承载盒,所述承载盒沿所述输送带宽度方向的侧壁上设有便于吸盘装片和取片的凹槽,所述凹槽与所述开口连通。
本实用新型的有益效果是:本实用新型提供的一种硅片快速冷却装置,采用承载盒以及冷却机构,提高硅片散热效率,方便硅片的后续生产,提高生产效率。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明。
图1是本实用新型最佳实施例的结构示意图;
图2是承载盒的结构示意图;
图3是承载盒的剖面示意图。
图中:1、输送带,2、承载盒,2-1、凹槽,3、薄膜,4、保温腔,5、冷却管,6、换热器。
具体实施方式
现在结合附图对本实用新型作详细的说明。此图为简化的示意图,仅以示意方式说明本实用新型的基本结构,因此其仅显示与本实用新型有关的构成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造