[实用新型]晶圆吸附载盘有效

专利信息
申请号: 201720396061.3 申请日: 2017-04-14
公开(公告)号: CN206733378U 公开(公告)日: 2017-12-12
发明(设计)人: 马英腾;谢启祥;施英汝 申请(专利权)人: 环球晶圆股份有限公司
主分类号: B28D7/04 分类号: B28D7/04;H01L21/683
代理公司: 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙)31218 代理人: 翟羽,高翠花
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 吸附
【说明书】:

技术领域

实用新型是有关于一种用于半导体制程的装置,特别是指一种用于吸附晶圆的晶圆吸附载盘。

背景技术

现今智能型手机等电子装置已朝着轻薄短小的方向设计,为了适应此趋势,上述电子装置所使用的芯片也越作越薄。把经过晶棒切割后所得到的一片晶圆再进行精密切割可以得到两片更薄的晶圆,以符合目前业界对于晶圆的薄度需求标准。

对晶圆进行精密切割时必须将晶圆稳固地固定在一平台上,以免在切割的过程中晶圆因为晃动而导致破裂。在进行晶圆切割的过程中,为了避免未吸附在吸盘上的另一片晶圆掉落破裂,所以一般会在晶圆侧边以黏胶将晶圆固定于一支撑件上。然而,晶圆侧边的黏胶往往会渗漏至晶圆与平台之间而造成平台无法稳固地固定晶圆,进而导致晶圆因为晃动而破裂。

实用新型内容

因此,本实用新型的目的在于,提供一种在晶圆精密切割的过程中,能避免被黏胶影响吸附力的晶圆吸附载盘。

因此,本实用新型晶圆吸附载盘在一些实施例中,适用于吸附一晶圆,且配合一黏着在所述晶圆的部分侧缘的支撑件使用,所述晶圆吸附载盘包含一盘体以及多个吸孔。所述盘体包括相反的一底面与一顶面、一自所述底面的周缘延伸至所述顶面的周缘的围绕面,及一凹陷形成在所述围绕面一侧的沟槽。所述沟槽延伸至所述顶面以在所述顶面形成一缺口,所述顶面供所述晶圆放置,且所述沟槽的缺口被所述晶圆覆盖而使晶圆的所述部分侧缘邻近所述沟槽。所述吸孔贯穿盘体的所述底面与所述顶面。

在一些实施例中,所述盘体的沟槽的截面为半圆形。

在一些实施例中,还包含一自所述盘体的底面径向朝外凸伸的底盘、一贯穿所述盘体与所述底盘的第一锁固孔,及多个贯穿所述底盘的第二锁固孔,所述吸孔贯穿所述盘体与所述底盘且所述盘体的沟槽是自所述顶面延伸至所述底盘。

在一些实施例中,所述盘体与所述底盘大概呈圆形。

在一些实施例中,所述盘体还包括两形成于所述围绕面且分别自所述沟槽的两侧缘反向延伸的平口部,晶圆的所述部分侧缘凸出所述平口部。

在一些实施例中,所述沟槽的截面积占所述盘体总面积的4%至6%。

在一些实施例中,所述吸孔中的其中部分吸孔邻近所述沟槽且以所述沟槽中心为基准成等间隔环状排列。

本实用新型至少具有以下优点:所述盘体的沟槽可供溢出的黏胶流入,以避免黏胶渗漏至晶圆与所述盘体之间而堵塞盘体的所述吸孔而造成吸附力下降,以防止晶圆因为吸附力不足导致晃动而破裂。

附图说明

本实用新型其它的特征及优点,将在参照图式的实施方式中清楚地呈现,其中:

图1是本实用新型晶圆吸附载盘的一实施例的一俯视图;

图2是所述实施例的一侧视图;

图3是俯视图,说明所述实施例吸附一晶圆时的状态。

符号说明

1、盘体;

11、底面;

12、顶面;

13、围绕面;

14、沟槽;

141、缺口;

15、平口部;

2、底盘;

3、吸孔;

4、第一锁固孔;

5、第二锁固孔;

8、晶圆;

9、支撑件;

91、弧面。

具体实施方式

参阅图1及图2,为本实用新型晶圆吸附载盘的一实施例,所述晶圆吸附载盘适用于连接一抽气装置(图未示)以通过真空吸附方式吸附一晶圆8(见图3)。所述晶圆吸附载盘包含一盘体1、一连接所述盘体1的底盘2、多个贯穿所述盘体1与所述底盘2的吸孔3、一贯穿所述盘体1与所述底盘2的第一锁固孔4,以及三个贯穿所述底盘2的第二锁固孔5。所述盘体1大概呈圆形且包括相反的一底面11与一顶面12、一自所述底面11的周缘延伸至所述顶面12的周缘的围绕面13、一凹陷形成在所述围绕面13的一侧的沟槽14,以及两个形成于所述围绕面13且分别自所述沟槽14的两侧缘反向延伸的平口部15。所述沟槽14的截面形状是半圆形且延伸至所述顶面12以在所述顶面12形成一缺口141。所述底盘2连接所述盘体1的底面11并且自所述底面11径向朝外凸伸,且所述盘体1的沟槽14是自所述顶面12延伸至所述底盘2,所述吸孔3贯穿所述盘体1与所述底盘2。

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