[实用新型]适用于功率MOS的新型塑封结构有效
| 申请号： | 201720378234.9 | 申请日： | 2017-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN206697450U | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 任杰;苏海伟 | 申请（专利权）人： | 上海长园维安微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/56;H01L23/495 |
| 代理公司： | 上海东亚专利商标代理有限公司31208 | 代理人： | 董梅 |
| 地址： | 201202 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 适用于 功率 mos 新型 塑封 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种适用于功率MOS的新型塑封结构，包含一框架，一芯片以及一封装体，其特征在于，所述的框架为铜框架，该铜框架分成两部分，一部分作为载片与器件背电极相连并引出管脚形成电气连接，一部分用来实现散热功能的散热背板，二者通过高导热隔离层隔离开，使铜框架的两部分形成物理连接。
2.根据权利要求1所述的适用于功率MOS的新型塑封结构，其特征在于：所述的高导热隔离层的面积c×d大于载片的面积e×f，小于散热背板面积a×b。
3.根据权利要求1或2所述的适用于功率MOS的新型塑封结构，其特征在于：所述的高导热隔离层采用上下两面都覆盖铜层的陶瓷隔离层。
4.根据权利要求3所述的适用于功率MOS的新型塑封结构，其特征在于：所述载片上焊接芯片，芯片背电极通过与载片相连的中间管脚引出，其他电极与悬空的电极相连，芯片与散热背板绝缘。
5.根据权利要求4所述的适用于功率MOS的新型塑封结构，其特征在于：载片的厚度与管脚厚度一致。
6.根据权利要求3所述的适用于功率MOS的新型塑封结构，其特征在于：所述的陶瓷隔离层厚度在0.4~0.6mm之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
