[实用新型]单片式清洗装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体设备技术领域，特别是涉及一种新型单片式清洗装置。

背景技术

伴随集成电路制造工艺的不断进步，半导体器件的体积正变得越来越小，这也导致了非常微小的颗粒也变得足以影响半导体器件的制造和性能，同时随着光刻线条的越来越细，晶圆的显影工艺也越来越严格，槽式显影工艺已经不能满足需求，因此单片式清洗和显影工艺开始在半导体制造过程中发挥越来越多的作用，单片式清洗和显影工艺可以利用很少的药液达到槽式工艺不能达到的水准。

单片式清洗和显影工艺一般是利用药液在晶圆表面形成一层液体膜，然后通过超声或者加热使晶圆表面的颗粒或者光刻胶进入到药液里面，通过多次重复该过程达到清洗或者显影的效果。但是因为药液的粘度不同，所以每次在晶圆表面放置的药液也不同，药液量大，则每次清洗或者显影的效果就好，药液量小，则效果就会差一些，那么要达到同样的效果就要多次重复该过程，影响了产能。另外药液的量不是可以随意增多的，因为液体在晶圆表面靠晶圆的表面张力吸附，如果药液量过大，则会流出晶圆表面。

发明内容

本实用新型的目的在于克服现有技术中存在的不足，提供一种单片式清洗装置，能够使得晶圆表面液体量增大，使得一次去除的颗粒或者光刻胶增多，液体量增大且不会流出晶圆表面。本实用新型采用的技术方案是：

一种单片式清洗装置，包括：载台、上盖、下腔；上盖上设有进液管和排液管；

所述上盖与下腔合拢成一个内有腔体的整体结构；

所述载台平置于所述腔体内，载台用于放置晶圆；载台的底部与轴连接；轴中间和载台连接轴的区域中设有吸气孔；所述轴伸出下腔外；

下腔上设有多个进气孔；进气孔排布一周；

在上盖上设有排气孔。

进一步地，进气孔在下腔的位置位于载台边缘下方。

进一步地，载台平置于腔体内中间位置。

进一步地，排气孔位于上盖的中央。

进一步地，上盖与下腔合拢成的整体结构纵截面优选为椭圆形或类椭圆形。

本实用新型提出的另一种类似的单片式清洗装置，包括：载台、上盖、下腔；上盖上设有进液管和排液管；

所述上盖设置在下腔上方，且上盖与下腔的边缘之间留有气隙；

上盖与下腔之间为腔体；载台平置于所述腔体内；载台的底部与轴连接；轴中间和载台连接轴的区域中设有吸气孔；所述轴伸出下腔外；

在上盖上设有多个抽气孔，抽气孔排列一周。

进一步地，载台的上表面高度与气隙相对应。

进一步地，抽气孔在上盖的位置位于载台边缘上方。

进一步地，载台平置于腔体内中间位置。

进一步地，下腔上设有多个进气孔；进气孔排布一周；进气孔在下腔的位置位于载台边缘下方。

本实用新型的优点在于：

1）本装置在晶圆的上面有一个上盖，上盖悬浮在晶圆表面后可以边注入液体边升高，液膜会介于上盖和晶圆之间，这样可以使晶圆表面的液体量增大，使一次去除的颗粒或者光刻胶增多。

2）本装置在腔体内的进边缘处设计了气流通道，气流在晶圆的边缘形成气墙，使得晶圆表面液体量增大且不会流出晶圆表面。

附图说明

图1为现有技术清洗装置示意图。

图2为本实用新型实施例一的结构示意图。

图3为本实用新型实施例一的下腔示意图。

图4为本实用新型实施例二的结构示意图。

图5为本实用新型实施例二的上盖示意图。

具体实施方式

下面结合具体附图和实施例对本实用新型作进一步说明。

如图1所示为普通清洗装置的工作载台；晶圆101被吸附在载台102上，清洗或者显影时，把清洗液或者显影液注入到晶圆的表面，静置或者加超生一段时间后，把液体去除，重复该过程就能达到清洗或者显影的目的；

本实用新型提出了改进的单片式清洗装置；

实施例一，如图2所示；

单片式清洗装置，包括：载台102、上盖202、下腔203；上盖202上设有进液管和排液管（图中未画出）；

所述上盖202与下腔203合拢成一个内有腔体的整体结构；该整体结构纵截面优选为椭圆形或类椭圆形；

所述载台102平置于所述腔体内，优选位于腔体内中间位置；载台102上可放置晶圆；载台102的底部与轴205连接；轴205中间和载台102连接轴的区域中设有吸气孔2051；所述轴205伸出下腔203外；