[实用新型]单片式清洗装置有效
| 申请号： | 201720375929.1 | 申请日： | 2017-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN206610792U | 公开（公告）日： | 2017-11-03 |
| 发明（设计）人： | 李春 | 申请（专利权）人： | 吉姆西半导体科技（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104 | 代理人： | 曹祖良,屠志力 |
| 地址： | 214194 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单片 清洗 装置 | ||
1.一种单片式清洗装置，其特征在于，包括：载台(102)、上盖(202)、下腔(203)；上盖(202)上设有进液管和排液管；
所述上盖(202)与下腔(203)合拢成一个内有腔体的整体结构；
所述载台(102)平置于所述腔体内，载台(102)用于放置晶圆；载台(102)的底部与轴(205)连接；轴(205)中间和载台(102)连接轴的区域中设有吸气孔(2051)；所述轴(205)伸出下腔(203)外；
下腔(203)上设有多个进气孔(204)；进气孔(204)排布一周；
在上盖(202)上设有排气孔(201)。
2.如权利要求1所述的单片式清洗装置，其特征在于，
进气孔(204)在下腔(203)的位置位于载台(102)边缘下方。
3.如权利要求1所述的单片式清洗装置，其特征在于，
载台(102)平置于腔体内中间位置。
4.如权利要求1所述的单片式清洗装置，其特征在于，
排气孔(201)位于上盖(202)的中央。
5.如权利要求1所述的单片式清洗装置，其特征在于，
上盖(202)与下腔(203)合拢成的整体结构纵截面优选为椭圆形或类椭圆形。
6.一种单片式清洗装置，其特征在于，包括：载台(102)、上盖(202)、下腔(203)；上盖(202)上设有进液管和排液管；
所述上盖(202)设置在下腔(203)上方，且上盖(202)与下腔(203)的边缘之间留有气隙(207)；
上盖(202)与下腔(203)之间为腔体；载台(102)平置于所述腔体内；载台(102)的底部与轴(205)连接；轴(205)中间和载台(102)连接轴的区域中设有吸气孔(2051)；所述轴(205)伸出下腔(203)外；
在上盖(202)上设有多个抽气孔(206)，抽气孔(206)排列一周。
7.如权利要求6所述的单片式清洗装置，其特征在于，
载台(102)的上表面高度与气隙(207)相对应。
8.如权利要求6所述的单片式清洗装置，其特征在于，
抽气孔(206)在上盖(202)的位置位于载台(102)边缘上方。
9.如权利要求6所述的单片式清洗装置，其特征在于，
载台(102)平置于腔体内中间位置。
10.如权利要求6所述的单片式清洗装置，其特征在于，
下腔(203)上设有多个进气孔；进气孔排布一周；进气孔在下腔(203)的位置位于载台(102)边缘下方。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
