[实用新型]一种易封装易散热倒装高压LED芯片

权利要求书

1.一种倒装高压LED芯片，其特征在于包括：蓝宝石衬底、外延层、p和n电极、隔离沟槽、内外绝缘薄膜层、金属导电薄膜层、封装基板，所述外延层依次包括n型GaN层、量子阱层和p型GaN层；所述隔离沟槽把倒装高压芯片外延层分隔成两个或两个以上子芯片，每个子芯片有彼此独立的p电极和n电极，第一子芯片的n电极和第二子芯片的p电极，到第N-1子芯片n电极和第N子芯片p电极依次通过金属导电薄膜层连接起来，金属导电薄膜内外均有绝缘层薄膜包覆，在第一子芯片p型GaN和第N子芯片n型GaN的内绝缘层薄膜上，形成倒装高压芯片的p和n电极。

2.根据权利要求1所述的倒装高压LED芯片，其特征在于采用Ag、Ni或Al反射性能好的金属作为金属导电薄膜层，各子芯片p型GaN上金属导电膜层覆盖各子芯片p型GaN台面。

3.根据权利要求1所述的倒装高压LED芯片，其特征在于所述金属导电薄膜层的内绝缘层采用透光性良好的SiO₂，外绝缘层采用散热性能良好的Si₃N₄薄膜。

4.根据权利要求1所述的倒装高压LED芯片，其特征在于各子芯片均采用长条形结构，第一和第N子芯片相比其它子芯片具有更大的台面。