[实用新型]雷射辅助接合系统

说明书

技术领域

本实用新型关于一种雷射辅助接合系统。

背景技术

目前的用于雷射接合半导体晶粒至基板的系统及方法是不足的，其例如是潜在地产生连接或装置的失效。习知及传统的方式的进一步限制及缺点对于具有此项技术的技能者而言，通过此种方式与如同在本申请案的其余部分中参考图式所阐述的本揭露内容的比较将会变成是明显的。

实用新型内容

此揭露内容的各种特点是提供一种用于半导体晶粒的雷射辅助的接合的系统。作为非限制性的例子，此揭露内容的各种特点提供例如在空间上及/或时间上强化或控制一半导体晶粒的雷射照射的系统，以改善该半导体晶粒至一基板的接合。

本实用新型的一态样为一种雷射辅助接合系统，其包含:射束过滤器，其操作以接收输入雷射辐射以及输出雷射辐射，同时:以第一强度位准照射半导体晶粒的第一区域；以及以不同于该第一强度位准的第二强位准照射该半导体晶粒的第二区域。在所述的雷射辅助接合系统中，该射束过滤器是多个可选的射束过滤器中的一个。所述的雷射辅助接合系统包含射束过滤器的变换器，其操作以:接收射束过滤器控制信号；以及定位所述多个可选的射束过滤器中的被选择的射束过滤器用于照射该半导体晶粒。在所述的雷射辅助接合系统中，该射束过滤器的变换器是旋转的变换器。所述的雷射辅助接合系统包含控制器，其操作以:从所述多个可选的射束过滤器中选择射束过滤器；以及产生该被选择的射束过滤器的该射束过滤器控制信号指示。在所述的雷射辅助接合系统中，该射束过滤器包含:一基底材料；以及一过滤图案，其被涂覆在该基底材料的一表面上。在所述的雷射辅助接合系统中，该射束过滤器包含:一第一过滤图案区域，其特征在于一第一透射率位准，并且控制该半导体晶粒的该第一区域的照射；以及一第二过滤图案区域，其特征在于一不同于该第一透射率位准的第二透射率位准，并且控制该半导体晶粒的该第二区域的照射。在所述的雷射辅助接合系统中，该射束过滤器藉由在该第一强度位准的一第一平顶的雷射射束照射该第一区域；该射束过滤器藉由在该第二强度位准的一第二平顶的雷射射束照射该第二区域；该半导体晶粒的该第一区域包括该半导体晶粒的一中央区域；以及该半导体晶粒的该第二区域包括该半导体晶粒的一外围区域。所述的雷射辅助接合系统包含一控制器，其操作以改变该输出雷射辐射的光点大小。在所述的雷射辅助接合系统中，在照射该半导体晶粒之前，该雷射辅助接合系统操作以形成一雷射射束吸收层在该半导体晶粒上。

本实用新型的另一态样为一种雷射辅助接合系统，其包含:一光点大小变换器，其操作以:接收雷射辐射；输出雷射辐射以照射一半导体晶粒；以及在该该半导体晶粒的照射期间，改变该输出雷射辐射的一光点大小。在所述的雷射辅助接合系统中，该雷射辅助接合系统操作以藉由一平顶雷射射束来照射该半导体晶粒。在所述的雷射辅助接合系统中，该光点大小变换器操作以改变该光点大小在一第一光点大小和一第二光点大小之间，该第一光点大小覆盖小于该整个半导体晶粒，该第二光点大小覆盖该整个半导体晶粒。在所述的雷射辅助接合系统中，在一第一时间期间，该光点大小变换器操作以一受控制的增加速率来增加该光点大小。在所述的雷射辅助接合系统中，在该第一时间期间之后的一第二时间期间，该光点大小变换器操作维持该光点大小在一固定的尺寸。在所述的雷射辅助接合系统中，在该第二时间期间之后的一第三时间期间，该光点大小变换器操作以一受控制的减小速率来减小该光点大小。在所述的雷射辅助接合系统中，该光点大小变换器是被整合成为一射束均匀器。在所述的雷射辅助接合系统中，在照射该半导体晶粒之前，该雷射辅助接合系统操作以形成一雷射射束吸收层在该半导体晶粒上。所述的雷射辅助接合系统包含一射束过滤器，其操作以接收输入雷射辐射和输出雷射辐射，同时:以在一第一强度位准的一第一平顶的雷射射束照射一半导体晶粒的一第一区域；以及以在不同于该第一强度位准的一第二强位准的一第二平顶的雷射射束照射该半导体晶粒的一第二区域。所述的雷射辅助接合系统包含一射束过滤器变换器，其操作以定位多个可选择的射束过滤器中的一经选择的射束过滤器用于照射该半导体晶粒。

附图说明

图1A为展示根据本揭露内容的各种特点的一种范例的雷射辅助的接合的系统及方法、以及一种范例的半导体装置的概要的视图。

图1B为展示根据本揭露内容的各种特点的一范例的射束过滤器的侧视图。

图1C为展示根据本揭露内容的各种特点的一范例的射束过滤器的平面图。