[实用新型]雷射辅助接合系统有效

专利信息
申请号: 201720311496.3 申请日: 2017-03-28
公开(公告)号: CN206657803U 公开(公告)日: 2017-11-21
发明(设计)人: 尹泰浩;钟梁奎;金敏浩;宋延锡;柳东洙;金钟荷 申请(专利权)人: 艾马克科技公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 北京寰华知识产权代理有限公司11408 代理人: 林柳岑
地址: 美国亚利桑那*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 雷射 辅助 接合 系统
【权利要求书】:

1.一种雷射辅助接合系统,其特征在于,包含:

射束过滤器,其操作以接收输入雷射辐射以及输出雷射辐射,同时:

以第一强度位准照射半导体晶粒的第一区域;以及

以不同于该第一强度位准的第二强位准照射该半导体晶粒的第二区域。

2.如权利要求1所述的雷射辅助接合系统,其特征在于,该射束过滤器是多个可选的射束过滤器中的一个。

3.如权利要求2所述的雷射辅助接合系统,其特征在于,包含射束过滤器的变换器,其操作以:

接收射束过滤器控制信号;以及

定位所述多个可选的射束过滤器中的被选择的射束过滤器用于照射该半导体晶粒。

4.如权利要求3所述的雷射辅助接合系统,其特征在于,该射束过滤器的变换器是旋转的变换器。

5.如权利要求3所述的雷射辅助接合系统,其特征在于,包含控制器,其操作以:

从所述多个可选的射束过滤器中选择射束过滤器;以及

产生该被选择的射束过滤器的该射束过滤器控制信号指示。

6.如权利要求1所述的雷射辅助接合系统,其特征在于,该射束过滤器包含:

一基底材料;以及

一过滤图案,其被涂覆在该基底材料的一表面上。

7.如权利要求1所述的雷射辅助接合系统,其特征在于,该射束过滤器包含:

一第一过滤图案区域,其特征在于一第一透射率位准,并且控制该半导体晶粒的该第一区域的照射;以及

一第二过滤图案区域,其特征在于一不同于该第一透射率位准的第二透射率位准,并且控制该半导体晶粒的该第二区域的照射。

8.如权利要求1所述的雷射辅助接合系统,其特征在于:

该射束过滤器藉由在该第一强度位准的一第一平顶的雷射射束照射该第一区域;

该射束过滤器藉由在该第二强度位准的一第二平顶的雷射射束照射该第二区域;

该半导体晶粒的该第一区域包括该半导体晶粒的一中央区域;以及

该半导体晶粒的该第二区域包括该半导体晶粒的一外围区域。

9.如权利要求1所述的雷射辅助接合系统,其特征在于,包含一控制器,其操作以改变该输出雷射辐射的光点大小。

10.如权利要求1所述的雷射辅助接合系统,其特征在于,在照射该半导体晶粒之前,该雷射辅助接合系统操作以形成一雷射射束吸收层在该半导体晶粒上。

11.一种雷射辅助接合系统,其特征在于,包含:

一光点大小变换器,其操作以:

接收雷射辐射;

输出雷射辐射以照射一半导体晶粒;以及

在该半导体晶粒的照射期间,改变该输出雷射辐射的一光点大小。

12.如权利要求11所述的雷射辅助接合系统,其特征在于,该雷射辅助接合系统操作以藉由一平顶雷射射束来照射该半导体晶粒。

13.如权利要求11所述的雷射辅助接合系统,其特征在于,该光点大小变换器操作以改变该光点大小在一第一光点大小和一第二光点大小之间,该第一光点大小覆盖小于该整个半导体晶粒,该第二光点大小覆盖该整个半导体晶粒。

14.如权利要求11所述的雷射辅助接合系统,其特征在于,在一第一时间期间,该光点大小变换器操作以一受控制的增加速率来增加该光点大小。

15.如权利要求14所述的雷射辅助接合系统,其特征在于,在该第一时间期间之后的一第二时间期间,该光点大小变换器操作维持该光点大小在一固定的尺寸。

16.如权利要求15所述的雷射辅助接合系统,其特征在于,在该第二时间期间之后的一第三时间期间,该光点大小变换器操作以一受控制的减小速率来减小该光点大小。

17.如权利要求11所述的雷射辅助接合系统,其特征在于,该光点大小变换器是被整合成为一射束均匀器。

18.如权利要求11所述的雷射辅助接合系统,其特征在于,在照射该半导体晶粒之前,该雷射辅助接合系统操作以形成一雷射射束吸收层在该半导体晶粒上。

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