[实用新型]一种无正面栅线的P型晶体硅背接触电池结构

权利要求书

1.一种无正面栅线的P型晶体硅背接触电池结构，其特征在于：P型晶体硅片从上而下依次包括：透明导电膜(1)、减反射膜(2)、正面钝化膜(3)、N型层(4)、P型基体(6)、背面钝化膜(7)、金属层(8)和背面正极(9)，其中，所述P型晶体硅片上设有通孔，所述通孔内设置有用于连接电池正面负极和背面负极的过孔电极(10)，所述N型层(4)的表层设有按规则图形分布的局部重掺杂N+区(5)，所述透明导电膜(1)依次穿透所述减反射膜(2)和正面钝化膜(3)与所述局部重掺杂N+区(5)及所述过孔电极(10)顶端电接触构成电池的负极，所述透明导电膜(1)用于将电池正面汇集的电子经过所述过孔电极(10)导至电池的背面，所述金属层(8)穿透所述背面钝化膜(7)与所述P型硅基体(6)形成局部欧姆接触，并与背面正极(9)连接在一起构成电池正极。

2.根据权利要求1所述的一种无正面栅线的P型晶体硅背接触电池结构，其特征在于：所述通孔大小相同，在厚度方向贯通所述P型晶体硅片，且等行距等列距阵列排布。

3.根据权利要求2所述的一种无正面栅线的P型晶体硅背接触电池结构，其特征在于：单个所述通孔的直径为100～500um，所述通孔的排布数量为4×4～10×10个。

4.根据权利要求1所述的一种无正面栅线的P型晶体硅背接触电池结构，其特征在于：所述局部重掺杂N+区(5)阵列排布在所述N型层(4)上，每个所述N+区(5)的方阻为20～60Ω/□。

5.根据权利要求1所述的一种无正面栅线的P型晶体硅背接触电池结构，其特征在于：所述局部重掺杂N+区(5)阵列规则图形为类一维图形、二维图形或类一维图形与二维图形的组合，所述类一维图形为线段、虚线段、弧线或栅线状；所述二维图形为：圆形、椭圆形、纺锤形、环形、多边形、多角形或扇形。

6.根据权利要求5所述的一种无正面栅线的P型晶体硅背接触电池结构，其特征在于，所述类一维图形的线宽为20～200um，长度为0.05～1.5mm；同一行中相邻两个线形的间距为0.5～2mm，同一列中相邻两个线形的间距为0.5～2mm；所述二维几何图形的尺寸均为20～200um，相邻两个图形中心距为0.5～2mm。

7.根据权利要求1所述的一种无正面栅线的P型晶体硅背接触电池结构，其特征在于：所述过孔电极(10)与所述金属层(8)之间设置有绝缘隔离(11)，所述绝缘隔离(11)的厚度为0.5～3mm。

8.根据权利要求1所述的一种无正面栅线的P型晶体硅背接触电池结构，其特征在于：所述透明导电膜(1)为ITO薄膜、AZO薄膜、GZO薄膜、FTO薄膜、IWO薄膜和石墨烯薄膜中的一种或多种叠层构成；所述正面钝化膜(3)为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、非晶硅中的一种或多种叠层构成；所述减反射膜(2)包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化钛、碳化硅等薄膜的一种或多种薄膜叠层；所述背面钝化膜(7)为氧化铝、氧化硅、非晶硅、氮氧化硅、氮化硅的中的一种或多种叠层构成。

9.根据权利要求8所述的一种无正面栅线的P型晶体硅背接触电池结构，其特征在于：所述透明导电膜(1)的厚度为50～500nm，所述正面钝化膜(3)的厚度为5～50nm，所述减反射膜(2)的厚度为50～100nm，所述背面钝化膜(7)包括第一背面钝化膜(7-1)和第二背面钝化膜(7-2)，所述第一背面钝化膜(7-1)厚度为5～40nm，所述第二背面钝化膜(7-2)厚度为50～150nm。

10.根据权利要求1所述的一种无正面栅线的P型晶体硅背接触电池结构，其特征在于：所述P型晶体硅片的厚度为90～190um。