[实用新型]功率半导体器件

权利要求书

1.一种功率半导体器件，所述功率半导体器件的元胞结构包括第一导电类型的衬底、所述衬底上的第二导电类型的阱区、所述阱区内的第一导电类型的源区、所述阱区上方的栅极、以及所述阱区上与所述阱区和源区连接的金属互连线，所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；其特征在于，所述阱区的底部形成有向上凹进阱区内部的凹陷，所述金属互连线位于所述凹陷的上方，所述阱区内的源区位于第一连线的两侧，所述第一连线为所述凹陷正底部与金属互连线正中的连线。

2.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述阱区与所述金属互连线接触的部分的横截面为长条形，两相邻所述栅极的间距方向与所述长条形的延伸方向垂直。

3.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。

4.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，还包括形成于所述衬底上的第一导电类型的漂移区，所述阱区形成于所述漂移区内。

5.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述功率半导体器件是垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管或绝缘栅双极型晶体管。