[实用新型]电子芯片

说明书

技术领域

本申请涉及电子芯片，例如涉及被保护免受攻击的电子芯片。

背景技术

电子芯片(诸如银行卡芯片)包含很可能被剽窃者觊觎的机密数据。为了获得此信息，剽窃者可以通过用激光脉冲扫描芯片的后表面来实施攻击。激光的影响会干扰芯片操作。观察这类干扰(有时被称为故障)的结果，使得剽窃者能够实施攻击。为了干扰芯片操作，剽窃者还可以使用探针接触后表面来施加正电势或负电势。

期望保护电子芯片免受这类攻击(被称为故障注入攻击)，已知的设备具有各种缺点和实现问题。

实用新型内容

本实用新型的实施例的目的在于提供一种被保护免受攻击的电子芯片。

因此，实施例提供了一种电子芯片，该电子芯片包括：第一导电类型的掺杂半导体衬底、覆盖该衬底的第二导电类型的掺杂掩埋层以及覆盖该掩埋层的该第一导电类型的第一掺杂阱。与该掩埋层分隔开的电路形成在该第一阱的内部和顶部上和/或在形成于该第一阱中的第二阱的内部和顶部上。电流检测器用于对该掩埋层进行偏置。

所述电子芯片进一步包括形成在所述第一掺杂阱中的第二掺杂阱，其中，所述电路部件中的一些电路部件形成在所述第二掺杂阱的顶表面处。

所述第一阱在所述掩埋层与所述第二阱之间具有在2μm至3μm之间的厚度。

所述电子芯片进一步包括与所述掩埋层接触并且包围所述第一阱的所述第二导电类型的第一壁。

所述电子芯片进一步包括与所述衬底接触并且包围所述第一壁的所述第一导电类型的第二壁。

所述检测器连接在被配置成用于承载电压电势的节点与所述第一壁之间。

所述检测器包括：电阻器，所述电阻器耦合在被配置成用于承载所述电压电势的所述节点与所述第一壁之间；反相器，所述反相器具有耦合到被配置成用于承载所述电压电势的所述节点的输入端；比较器，所述比较器耦合在所述电阻器两端，所述比较器具有耦合到所述第一壁的正输入端以及耦合到被配置成用于承载所述电压电势的所述节点的负输入端；以及或门，所述或门具有耦合到所述反相器的输出端的第一输入端以及耦合到所述比较器的输出端的第二输入端。

所述掩埋层具有在2μm至3μm之间的厚度。

当所述偏置电流的绝对值大于阈值时，所述检测器能够生成报警信号。

所述阈值在2μA至50μA之间。

一种电子芯片，包括：第一导电类型的掺杂半导体衬底；覆盖所述衬底的第二导电类型的掺杂掩埋层；覆盖所述掩埋层的所述第一导电类型的第一掺杂阱；所述第二导电类型的第一壁，所述第一壁与所述掩埋层接触并且包围所述第一阱；电阻器，所述电阻器耦合在参考电压节点与所述第一壁之间；反相器，所述反相器具有耦合到所述参考电压节点的输入端；比较器，所述比较器耦合在所述电阻器两端，所述比较器具有耦合到所述第一壁的正输入端以及耦合到所述参考电压节点的负输入端；以及或门，所述或门具有耦合到所述反相器的输出端的第一输入端以及耦合到所述比较器的输出端的第二输入端。

所述电子芯片进一步包括形成在所述第一掺杂阱中的第二掺杂阱。

所述电子芯片进一步包括与所述衬底接触并且包围所述第一壁的所述第一导电类型的第二壁。

所述第二壁耦合到接地节点。

一种电子芯片，包括：第一导电类型的掺杂半导体衬底；覆盖所述衬底的第二导电类型的掺杂掩埋层；覆盖所述掩埋层的所述第一导电类型的第一掺杂阱；用于将所述衬底和所述第一阱偏置到第一参考电势的装置；用于将所述掩埋层偏置到第二参考电势的装置；以及用于当对所述掩埋层进行偏置的电流大于阈值时生成报警信号的装置。

所述电子芯片进一步包括：形成在所述第一掺杂阱中的第二掺杂阱；电路部件，所述电路部件形成在所述第一掺杂阱的顶表面处并与所述掩埋层分隔开；所述第二导电类型的第一壁，所述第一壁与所述掩埋层接触并且包围所述第一阱；以及所述第一导电类型的第二壁，所述第二壁与所述衬底接触并且包围所述第一壁。

根据实施例，与掩埋层接触的第二导电类型的第一壁包围第一阱。

根据实施例，与衬底接触的第一导电类型的第二壁包围第一壁。

根据实施例，在掩埋层与第二阱之间，第一阱具有在从2μm到3μm范围内的厚度。

根据实施例，掩埋层具有在2μm至3μm的范围内的厚度。

根据实施例，当偏置电流的绝对值大于从2μA到50μA范围中的值时，检测器能够生成报警信号。

根据本实用新型的实施例的电子芯片能够被保护免受攻击。