[实用新型]电子芯片

权利要求书

1.一种电子芯片，其特征在于，包括：

第一导电类型的掺杂半导体衬底；

覆盖所述衬底的第二导电类型的掺杂掩埋层；

覆盖所述掩埋层的所述第一导电类型的第一掺杂阱；

电路部件，所述电路部件形成在所述第一掺杂阱的顶表面处并与所述掩埋层分隔开；以及

电流检测器，所述电流检测器耦合到所述掩埋层并且被配置成用于检测流入或流出所述掩埋层的偏置电流。

2.如权利要求1所述的电子芯片，其特征在于，进一步包括形成在所述第一掺杂阱中的第二掺杂阱，其中，所述电路部件中的一些电路部件形成在所述第二掺杂阱的顶表面处。

3.如权利要求2所述的电子芯片，其特征在于，所述第一掺杂阱在所述掩埋层与所述第二掺杂阱之间具有在2μm至3μm之间的厚度。

4.如权利要求1所述的电子芯片，其特征在于，进一步包括与所述掩埋层接触并且包围所述第一掺杂阱的所述第二导电类型的第一壁。

5.如权利要求4所述的电子芯片，其特征在于，进一步包括与所述衬底接触并且包围所述第一壁的所述第一导电类型的第二壁。

6.如权利要求4所述的电子芯片，其特征在于，所述检测器连接在被配置成用于承载电压电势的节点与所述第一壁之间。

7.如权利要求6所述的电子芯片，其特征在于，所述检测器包括：

电阻器，所述电阻器耦合在被配置成用于承载所述电压电势的所述节点与所述第一壁之间；

反相器，所述反相器具有耦合到被配置成用于承载所述电压电势的所述节点的输入端；

比较器，所述比较器耦合在所述电阻器两端，所述比较器具有耦合到所述第一壁的正输入端以及耦合到被配置成用于承载所述电压电势的所述节点的负输入端；以及

或门，所述或门具有耦合到所述反相器的输出端的第一输入端以及耦合到所述比较器的输出端的第二输入端。

8.如权利要求1所述的电子芯片，其特征在于，所述掩埋层具有在2μm至3μm之间的厚度。

9.如权利要求1所述的电子芯片，其特征在于，当所述偏置电流的绝对值大于阈值时，所述检测器能够生成报警信号。

10.如权利要求9所述的电子芯片，其特征在于，所述阈值在2μA至50μA之间。

11.一种电子芯片，其特征在于，包括：

第一导电类型的掺杂半导体衬底；

覆盖所述衬底的第二导电类型的掺杂掩埋层；

覆盖所述掩埋层的所述第一导电类型的第一掺杂阱；

所述第二导电类型的第一壁，所述第一壁与所述掩埋层接触并且包围所述第一掺杂阱；

电阻器，所述电阻器耦合在参考电压节点与所述第一壁之间；

反相器，所述反相器具有耦合到所述参考电压节点的输入端；

比较器，所述比较器耦合在所述电阻器两端，所述比较器具有耦合到所述第一壁的正输入端以及耦合到所述参考电压节点的负输入端；以及

或门，所述或门具有耦合到所述反相器的输出端的第一输入端以及耦合到所述比较器的输出端的第二输入端。

12.如权利要求11所述的电子芯片，其特征在于，进一步包括形成在所述第一掺杂阱中的第二掺杂阱。

13.如权利要求11所述的电子芯片，其特征在于，进一步包括与所述衬底接触并且包围所述第一壁的所述第一导电类型的第二壁。

14.如权利要求13所述的电子芯片，其特征在于，所述第二壁 耦合到接地节点。

15.一种电子芯片，其特征在于，包括：

第一导电类型的掺杂半导体衬底；

覆盖所述衬底的第二导电类型的掺杂掩埋层；

覆盖所述掩埋层的所述第一导电类型的第一掺杂阱；

用于将所述衬底和所述第一掺杂阱偏置到第一参考电势的装置；

用于将所述掩埋层偏置到第二参考电势的装置；以及

用于当对所述掩埋层进行偏置的电流大于阈值时生成报警信号的装置。

16.如权利要求15所述的电子芯片，其特征在于，进一步包括：

形成在所述第一掺杂阱中的第二掺杂阱；

电路部件，所述电路部件形成在所述第一掺杂阱的顶表面处并与所述掩埋层分隔开；

所述第二导电类型的第一壁，所述第一壁与所述掩埋层接触并且包围所述第一掺杂阱；以及

所述第一导电类型的第二壁，所述第二壁与所述衬底接触并且包围所述第一壁。