[实用新型]一种基于双电源芯片双向电源电路结构有效
| 申请号: | 201720262112.3 | 申请日: | 2017-03-17 |
| 公开(公告)号: | CN206524764U | 公开(公告)日: | 2017-09-26 |
| 发明(设计)人: | 袁伟东;祝永利;邓洪彬;邹剑豪 | 申请(专利权)人: | 四川中蓉科技有限公司 |
| 主分类号: | H02M3/335 | 分类号: | H02M3/335;H02J9/06 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 610041 四川省成都市高*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基于 双电源 芯片 双向 电源 电路 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种电源电路,具体是指一种基于双电源芯片双向电源电路结构。
背景技术
在部分电路中需要使用双向隔离电源,而有时无法使用一颗芯片完成双向控制,为此如今的产品普遍需要采用两颗电源控制芯片来实现。以反激式拓扑结构电源为例,该电路需要1个变压器,若干个MOS管,以及续流二极管,由于两个电路相互独立,但又同时共用一个变压器,导致在一个方向电源工作时另外一个方向电源的相关器件处于“闲置”状态,甚至使得并联在相关节点的元器件会对另一部分电路的运行形成干扰而降低其整体的效率。
现有技术如图1所示,A、D为正向电源开关(其中D为同步整流开关),E为隔离电路;同理B、C为反向电源开关(其中C为同步整流开关),F为隔离电路;G、H为反向电路,I为主变压器。
现有的电路在正向工作时,B、C处于“闲置”状态,由于在开关节点(a、b)电流变化率很大,B、C的寄生电容将对整个电源效率产生较大的影响,且此时B、C两电容处于“多余”状态;同理,当反向电源工作是A、D也会产生类似的影响。
从双向电源结构来看,A和D、B和C本身并联,只是在双向工作时其“角色”发生变化——在开关管和整流管间转换。从信号输入来看,由于开关管驱动信号来自两个不同芯片,所以没法直接连接。
综上所述,如今需要设计一款新的电路,来简化现有的电路结构以降低电路的生产成本,并有效的提高电路的工作效率。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服上述问题,提供一种基于双电源芯片双向电源电路结构,很好的简化了电路的结构,进而降低了电路的生产与使用成本,同时还能很好的避免“闲置”元器件对电路的影响,大大提高了电路的电源效率。
本实用新型的目的通过下述技术方案实现:
一种基于双电源芯片双向电源电路结构,包括变压器I,MOS管A,MOS管B,信号合成电路J,信号合成电路K,输入端经开关电源控制器L后与信号合成电路J的一个输入端相连接、输出端经隔离电路F后与信号合成电路K的一个输入端相连接的非门H,输入端经开关电源控制器M后与信号合成电路K的另一个输入端相连接、输出端经隔离电路E后与信号合成电路J的另一个输入端相连接的非门G组成;其中,MOS管A的漏极与变压器I的原边电感线圈的非同名端相连接,MOS管A的源极接地,MOS管A的栅极与信号合成电路J的输出端相连接的,MOS管B的栅极与信号合成电路K的输出端相连接,MOS管B的源极与变压器I的副边电感线圈的同名端相连接,MOS管B的漏极接模拟地。
作为优选,所述信号合成电路J是由信号选择器与MOSTFET驱动器组成的,信号合成电路K也是由信号选择器与门驱动组成的。
作为优选,所述电路中变压器I的原边电感线圈的同名端和变压器I的副边电感线圈的非同名端作为该电路的输入/输出端,且其中一端作为输入端时另一端则作为输出端。
本实用新型与现有技术相比,具有以下优点及有益效果:
本实用新型很好的简化了现有电路的结构,减少了元器件的使用量,进而降低了电路的生产与使用成本,还很好的降低了电路布置所需占用的空间;同时,降低了MOS管的使用数量,可以有效的减少电路的热耗,避免MOS管“闲置”时对电路的正常运行造成影响,进而大大提高了电路的电源效率。
附图说明
图1为现有技术的电路结构图。
图2为本实用新型双向电源电路的电路结构图。
具体实施方式
下面结合实施例对本实用新型作进一步的详细说明,但本实用新型的实施方式不限于此。
实施例
如图2所示,本实用新型由变压器I,MOS管A,MOS管B,信号合成电路J,信号合成电路K,隔离电路E,隔离电路F,非门G,非门H,输入端经开关电源控制器L,开关电源控制器M组成。
本申请中的双电源芯片指的两个电源控制芯片,即上述的开关电源控制器L和开关电源控制器M,其分别控制该电路的正向或者反向供电,且两个电源控制芯片同一时间只能有一个正常工作。
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