[实用新型]一种基于双电源芯片双向电源电路结构有效
| 申请号： | 201720262112.3 | 申请日： | 2017-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN206524764U | 公开（公告）日： | 2017-09-26 |
| 发明（设计）人： | 袁伟东;祝永利;邓洪彬;邹剑豪 | 申请（专利权）人： | 四川中蓉科技有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/335 | 分类号： | H02M3/335;H02J9/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610041 四川省成都市高*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 双电源 芯片 双向 电源 电路 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于双电源芯片双向电源电路结构，其特征在于：包括变压器I，MOS管A，MOS管B，信号合成电路J，信号合成电路K，输入端经开关电源控制器L后与信号合成电路J的一个输入端相连接、输出端经隔离电路F后与信号合成电路K的一个输入端相连接的非门H，输入端经开关电源控制器M后与信号合成电路K的另一个输入端相连接、输出端经隔离电路E后与信号合成电路J的另一个输入端相连接的非门G组成；其中，MOS管A的漏极与变压器I的原边电感线圈的非同名端相连接，MOS管A的源极接地，MOS管A的栅极与信号合成电路J的输出端相连接的，MOS管B的栅极与信号合成电路K的输出端相连接，MOS管B的源极与变压器I的副边电感线圈的同名端相连接，MOS管B的漏极接模拟地。
2.根据权利要求1所述的一种基于双电源芯片双向电源电路结构，其特征在于：所述信号合成电路J是由信号选择器与MOSTFET驱动器组成的，信号合成电路K也是由信号选择器与门驱动组成的。
3.根据权利要求2所述的一种基于双电源芯片双向电源电路结构，其特征在于：所述电路中变压器I的原边电感线圈的同名端和变压器I的副边电感线圈的非同名端作为该电路的输入/输出端，且其中一端作为输入端时另一端则作为输出端。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川中蓉科技有限公司，未经四川中蓉科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201720262112.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于光学分插光子芯片的双向抽头监视器
- 下一篇：一种旋合式压力锅
