[实用新型]晶圆承载装置有效
申请号: | 201720250932.0 | 申请日: | 2017-03-15 |
公开(公告)号: | CN206574698U | 公开(公告)日: | 2017-10-20 |
发明(设计)人: | 李博;简子杰;冉鸿飞 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人: | 屈蘅,李时云 |
地址: | 300385 天津市西青*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 承载 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种晶圆承载装置。
背景技术
晶圆是指硅半导体集成电路制造所用的硅基底,由于其形状为圆形,故称为晶圆。在硅芯片上可加工制作成各种电路组件结构,而成为有特定功能的IC产品。晶圆分为单面制程和双面制程两种,单面制程的晶圆只在一面进行打磨和抛光等工艺,而双面制程的晶圆需要在晶圆的正面和反面同时进行打磨和抛光的工艺,并且,加工好的晶圆需要在目检机台上进行目检。
由于某些晶圆是双面制程,在双面全部进行打磨和抛光后再进行目检,若直接放在目检机台上进行目检,则会在晶圆表面形成圆形的破损痕迹,造成良率的损失。所以双面制程的薄片晶圆无法直接放置到目检机台上操作。
因此,需要设计一种晶圆承载装置以解决双面制程的薄片晶圆无法直接放置在目检机台上的问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种晶圆承载装置,以解决现有的双面制程的薄片晶圆无法直接放置在目检机台上的问题。
为解决上述技术问题,本实用新型提供一种晶圆承载装置,用于承载晶圆,所述晶圆承载装置包括底盘结构及位于所述底盘结构正面的第一凸起结构,所述第一凸起结构承载晶圆。
可选的,在所述的晶圆承载装置中,所述晶圆承载装置还包括位于所述第一凸起结构的边缘上的第二凸起结构。
可选的,在所述的晶圆承载装置中,所述底盘结构为圆形底盘结构。
可选的,在所述的晶圆承载装置中,所述底盘结构上设置有多个缺口。
可选的,在所述的晶圆承载装置中,所述底盘结构的直径为205毫米~211毫米。
可选的,在所述的晶圆承载装置中,所述第一凸起结构为圆弧段结构。
可选的,在所述的晶圆承载装置中,所述第一凸起结构的数量为多个,多个所述第一凸起结构均匀分布于所述底盘结构正面边缘。
可选的,在所述的晶圆承载装置中,所述第一凸起结构的截面宽度为3毫米~7毫米。
可选的,在所述的晶圆承载装置中,所述第二凸起结构的截面宽度为所述第一凸起结构的截面宽度的1/10~1/2。
可选的,在所述的晶圆承载装置中,所述第一凸起结构的高度比所述底盘结构的高度高1毫米~5毫米。
可选的,在所述的晶圆承载装置中,所述第二凸起结构的高度比所述第一凸起结构的高度高1毫米~3毫米。
可选的,在所述的晶圆承载装置中,所述晶圆承载装置还包括位于所述底盘结构背面中心位置的圆形凹槽,所述晶圆承载装置承载在目检台上,所述圆形凹槽套在所述目检台上。
可选的,在所述的晶圆承载装置中,所述圆形凹槽的直径为55毫米~61毫米。
可选的,在所述的晶圆承载装置中,所述圆形凹槽的深度为1毫米~3毫米。
可选的,在所述的晶圆承载装置中,所述晶圆承载装置的材料为聚醚醚酮材料。
在本实用新型提供的晶圆承载装置中,通过底盘结构和底盘结构边缘上凸起的第一凸环结构,使晶圆承载在宽度较小的第一凸环结构上,只有位于底盘结构边缘的第一凸环结构接触晶圆,第一凸环结构托起晶圆边缘,而中心区域悬空,晶圆承载装置的底盘结构不会碰触晶圆,避免晶圆的一面进行目检时,另一面由于接触形成圆形破损痕迹,影响良率;另外,晶圆承载装置的材料选择聚醚醚酮材料,可耐高温,不破坏晶圆成分。
进一步的,在本实用新型提供的晶圆承载装置中,通过第一凸环结构上的第二凸环结构,形成晶圆承载装置边缘的阶梯式设计,使晶圆承载装置承载晶圆时,有效固定晶圆,当目检操作晶圆承载装置带动晶圆转动时,防止由于转动速度过快,惯性太大使晶圆滑出或从晶圆承载装置上掉落。
更进一步的,通过底盘结构反面中心位置设置有圆形凹槽,使晶圆承载装置可直接嵌入安装在日常操作使用的目检机台中,并进行旋转目检,不必由于双面制程晶圆的特殊要求再增添其他目检设备,成本低廉。由于晶圆承载装置也可由于单面制程的晶圆,所以在单面制程和双面制程晶圆交替目检时,不必由于两种晶圆目检要求的不同而频繁安装和拆卸,长期不使用时也可灵活拆卸,使用十分便捷。
最后,通过底盘结构两端边缘各开有一个缺口,使目检机台中的机械手臂向晶圆承载装置上放置和取出晶圆时,不会碰触到晶圆承载装置的边缘,使整个目检过程实现机械手臂的自动化操作,降低人工放置和取出晶圆容易造成破损的风险。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造