[实用新型]晶圆承载装置有效
申请号: | 201720250932.0 | 申请日: | 2017-03-15 |
公开(公告)号: | CN206574698U | 公开(公告)日: | 2017-10-20 |
发明(设计)人: | 李博;简子杰;冉鸿飞 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人: | 屈蘅,李时云 |
地址: | 300385 天津市西青*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 承载 装置 | ||
1.一种晶圆承载装置,用于承载晶圆,其特征在于,所述晶圆承载装置包括底盘结构及位于所述底盘结构正面的第一凸起结构,所述第一凸起结构承载晶圆。
2.如权利要求1所述的晶圆承载装置,其特征在于,所述晶圆承载装置还包括位于所述第一凸起结构的边缘上的第二凸起结构。
3.如权利要求2所述的晶圆承载装置,其特征在于,所述底盘结构为圆形底盘结构。
4.如权利要求3所述的晶圆承载装置,其特征在于,所述底盘结构上设置有多个缺口。
5.如权利要求3所述的晶圆承载装置,其特征在于,所述底盘结构的直径为205毫米~211毫米。
6.如权利要求3所述的晶圆承载装置,其特征在于,所述第一凸起结构为圆弧段结构。
7.如权利要求6所述的晶圆承载装置,其特征在于,所述第一凸起结构的数量为多个,多个所述第一凸起结构均匀分布于所述底盘结构正面边缘。
8.如权利要求7所述的晶圆承载装置,其特征在于,所述第一凸起结构的截面宽度为3毫米~7毫米。
9.如权利要求8所述的晶圆承载装置,其特征在于,所述第二凸起结构的截面宽度为所述第一凸起结构的截面宽度的1/10~1/2。
10.如权利要求2所述的晶圆承载装置,其特征在于,所述第一凸起结构的高度比所述底盘结构的高度高1毫米~5毫米。
11.如权利要求2所述的晶圆承载装置,其特征在于,所述第二凸起结构的高度比所述第一凸起结构的高度高1毫米~3毫米。
12.如权利要求1所述的晶圆承载装置,其特征在于,所述晶圆承载装置还包括位于所述底盘结构背面中心位置的圆形凹槽,所述晶圆承载装置承载在目检台上,所述圆形凹槽套在所述目检台上。
13.如权利要求12所述的晶圆承载装置,其特征在于,所述圆形凹槽的直径为55毫米~61毫米。
14.如权利要求12所述的晶圆承载装置,其特征在于,所述圆形凹槽的深度为1毫米~3毫米。
15.如权利要求1~14中任一项所述的晶圆承载装置,其特征在于,所述晶圆承载装置的材料为聚醚醚酮材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201720250932.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:室内可更换面板的单元式幕墙系统
- 下一篇:无吊顶综合支吊体系
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造