[实用新型]具有薄膜图案的基板有效
申请号: | 201720250611.0 | 申请日: | 2017-03-15 |
公开(公告)号: | CN206627757U | 公开(公告)日: | 2017-11-10 |
发明(设计)人: | 许铭案 | 申请(专利权)人: | 许铭案 |
主分类号: | G03F1/68 | 分类号: | G03F1/68 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司11228 | 代理人: | 毛广杰 |
地址: | 中国台湾苗栗*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 薄膜 图案 | ||
技术领域
本实用新型关于一种基板,特别关于一种具有薄膜图案的基板。
背景技术
目前,智能型装置如智能型手机、智能型手表、智能型医疗器材等,都搭配有大屏幕让用户观看屏幕上的信息。这些具有大屏幕的装置,除了功能强大外,逐渐都走向个性化、美观的造型设计,包括外观、形状、色彩等。这些都必须通过令人激赏的外壳设计与制造来实现。而目前,立体化的外壳造型,特别吸引人,也逐渐成为智能型装置的未来潮流。
立体化外壳上可制作图案、线路、保护薄膜等。而直接在已经立体化的外壳上制作图案、线路、保护薄膜等的技术,有以下几种工法:第一种工法:转印技术。通过预先制作的平面图样,再转印到目标的立体。此种工法的加工成本低,但加工速度慢、材料成本高,且线路分辨率差。第二种工法:喷墨×雷射雕刻。通过喷墨方法将颜料喷至目标的立体,再通过雷射雕刻的方式将图案刻出。此种工法加工成本高且加工速度慢,设备成本也很高,材料成本也高,优点是,线路分辨率高,可达20μm(微米)。
不过,若要在平面或立体基板上制作金属材质的图案,则必须通过多次的光罩、显影、蚀刻等制程,不仅技术过程繁琐,且有多次用相同的光罩,必须进行准确定位的问题。这也导致合格率不高的结果。
因此,如何能开发出同时具备加工成本低、加工速度快、材料成本低、线路分辨率高、制程合格率高的薄膜图案加工方法,并且,可在平面基板、立体基板上制作出图案或保护薄膜等,成为智能型装置厂商所希求的发展方向。
实用新型内容
为达上述目的,本实用新型提供一种具有薄膜图案的基板,运用光阻掀离制程的技术手段,来实现一次光罩、无蚀刻或一次蚀刻的技术功效,并达到无缝薄膜图案制作的特殊技术功效。
本实用新型提供一种具有薄膜图案的基板,包含:
一基板;
至少一薄膜图案层,配置于该基板上;及
一周边图案层,配置于该基板上,无缝地环绕于该薄膜图案层。
该基板为一平面基板或一立体基板。
其中该基板为一立体基板,且该薄膜图案层配置于该立体基板的立体部位。
其中该至少一薄膜图案层选自以下任意两种以上的组合:一金属薄膜层、一无机金属氧化物薄膜层、一非金属氧化物薄膜层以及一非金属薄膜层。
其中该周边图案层为一基底光阻层,或为一金属薄膜层、一无机金属氧化物薄膜层、一非金属氧化物薄膜层或一非金属薄膜层。
还包括一保护层,形成于该薄膜图案层与该周边图案层上。
附图说明
图1A-图1D为本实用新型的具有薄膜图案的基板的制作方法流程图之数个具体实施例。
图2A-图2B为欲运用本实用新型的具有薄膜图案的基板的一具体实施例的正面及部分剖面放大示意图。
图3A-图3F为本实用新型的图1D的制作流程剖面示意图。
图4A-图4G为本实用新型的图1B的制作流程剖面示意图。
图5为本实用新型的具有薄膜图案的基板的另一具体实施例。
图6为本实用新型的具有薄膜图案的基板的又一具体实施例。
图中:
1、4 具有薄膜图案的基板;
2、3 部分;
10 立体基板;
20、21 基底光阻层;
30、31 掀离光阻层;
40 立体光罩;
41 图案结构;
50 紫外光;
60 薄膜层;
61 薄膜图案层;
62、63、64、66 薄膜图案;
70、71 基底色层;
80 图案空间;
步骤101:于一基板上形成一基底色层;
步骤102:于具有该基底色层的该基板上形成一掀离光阻层;
步骤103:以一光罩贴合于该基板上;
步骤104:曝光;
步骤105:移除未被曝光的该掀离光阻层,并形成一图案空间;
步骤106:移除该掀离光阻层所构成的该图案空间下方的该基底色层;
步骤107:于具有该图案空间的该基板上形成至少一薄膜层;
步骤108:移除该掀离光阻层以形成一薄膜图案结构;
步骤111:于一立体基板上形成一基底色层;
步骤112:于具有该基底色层的该立体基板上形成一掀离光阻层;
步骤113:以一立体光罩贴合于该立体基板上;
步骤114:曝光;
步骤115:移除未被曝光的该掀离光阻层,并形成一图案空间;
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备