[实用新型]一种封装结构、显示面板及显示装置有效
申请号: | 201720247904.3 | 申请日: | 2017-03-14 |
公开(公告)号: | CN206685388U | 公开(公告)日: | 2017-11-28 |
发明(设计)人: | 王大伟;王有为 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人: | 周娟 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 封装 结构 显示 面板 显示装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,尤其涉及一种封装结构、显示面板及显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展,用户对显示装置的需求不断增加,柔性显示装置克服了传统显示装置安装的局限性,其具有重量轻、厚度薄、可弯曲、视角范围大、广告效果好等优点,因此,在人们生活中有了广泛的应用,例如曲面屏幕等。因此,为了保证柔性显示装置的使用寿命,柔性显示装置的封装技术尤为关键。
现有技术中的柔性显示装置的封装结构通常采用第一阻隔层、第二阻隔层和第三阻隔层依次堆叠的封装形式,例如:第一阻隔层和第三阻隔层可以为氮化硅膜层或氮氧化硅膜层、第二阻隔层为有机材料膜层。当第一阻隔层和第三阻隔层为氮化硅膜层时,能够使封装结构具有较强的水氧阻隔能力(达到10-5g/m2.day数量级),但是,氮化硅膜层与有机材料膜层接触会造成有机材料膜层表面流平效果不佳的问题,从而可能使有机材料膜层表面形成雾化、孔洞和牛顿环等不良现象,进而会影响出光效率,降低了柔性显示装置显示效果,当第一阻隔层和第三阻隔层为氮氧化硅膜层时,尽管提升了有机材料膜层与氮氧化硅膜层接触表面较佳的流平效果,但是由于氮氧化硅膜层的水氧阻隔效果较差,降低了封装结构的水氧阻隔能力。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种封装结构、显示面板及显示装置,通过改善封装结构中第一阻隔层与第二阻隔层之间的流平效果,使得封装结构的出光效率得以提升,同时保证了封装结构具有较强的水氧阻隔能力,延长显示器件的使用寿命。
为了实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
本实用新型的第一方面提供了一种封装结构,所述封装结构包括第一阻隔层和第二阻隔层,所述第一阻隔层位于被封装物和所述第二阻隔层之间;其中,
所述第一阻隔层包括用于提高所述第二阻隔层靠近第一阻隔层的面的流平性的第一流平层和用于提高水氧阻隔能力的第一抗水氧阻隔层,所述第一抗水氧阻隔层位于所述被封装物与所述第一流平层之间,所述第一流平层位于所述第一抗水氧阻隔层与所述第二阻隔层之间。
优选的,所述封装结构还包括第三阻隔层,所述第三阻隔层位于所述第二阻隔层背离所述第一阻隔层的一面;所述第三阻隔层包括用于提高所述第二阻隔层靠近第三阻隔层的面的流平性的第三流平层以及用于提高水氧阻隔能力的第三抗水氧阻隔层,所述第三流平层位于所述第二阻隔层与所述第三抗水氧阻隔层之间。
优选的,所述封装结构还包括第三阻隔层,所述第三阻隔层位于所述第二阻隔层背离所述第一阻隔层的一面;所述第三阻隔层为第三流平层。
较佳的,所述第一抗水氧阻隔层的厚度为600nm-700nm,所述第一流平层的厚度为50nm-800nm。
较佳的,所述第二阻隔层的厚度为3μm-10μm。
进一步的,所述第三流平层的厚度为600nm-800nm。
优选的,所述第一抗水氧阻隔层的折射率为n1、所述第一流平层的折射率为n2、所述第二阻隔层的折射率n3,且n1>n2>n3。
较佳的,所述第一抗水氧阻隔层的折射率为1.85,所述第一流平层的折射率为1.55,所述第二阻隔层的折射率为1.45-1.50。
优选的,所述封装结构的抗水氧阻隔能力为10-5g/m2.day。
与现有技术相比,本实用新型提供的封装结构具有以下有益效果:
本实用新型提供的封装结构中,通过第一阻隔层与第二阻隔层的设置,能够有效阻隔外界水汽和氧气进入被封装物,防止被封装物被氧化,延长了显示器件的使用寿命;考虑到第一阻隔层与第二阻隔层直接接触会造成的接触面流平效果不佳的问题,因此,第一阻隔层包括第一抗水氧阻隔层和第一流平层,通过在第一抗水氧阻隔层与第二阻隔层之间设置第一流平层,能够避免第二阻隔层直接与第一抗水氧阻隔层接触造成接触面流平效果不佳的问题,使得上述接触面具有较好的流平性,进而能够提高显示器件的出射光通过封装结构的出光效率,提升显示装置的显示效果。
本实用新型的第二方面提供了一种显示面板,包括显示基板和权利要求1~9任一项所述封装结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的