[实用新型]半导体装置

说明书

技术领域

本实用新型有关于半导体装置。

背景技术

目前的半导体装置以及其制造方法例如在产生薄型封装上是不足的，其可能会在边缘处遭受到碎裂。现有及传统的方式的进一步限制及缺点对于具有此项技术的技能者而言，透过此种方式与如同在本申请案的其余部分中参考图式所阐述的本实用新型内容的比较将会变成是明显的。

实用新型内容

此实用新型内容的各种特点是提供一种具有强化的边缘保护的薄型半导体装置、以及一种制造其的方法。例如且在无限制下，此实用新型内容的各种特点提供一种包括一具有一边缘保护的区域的基板的薄型半导体装置、以及一种制造其的方法。

一种半导体装置，包括：基板，其包括：第一基板侧面、与所述第一基板侧面相反的第二基板侧面、以及多个延伸在所述第一基板侧面与所述第二基板侧面之间的周边基板侧面；第一导电层，其在所述第一基板侧面并且包括在所述第一基板侧面的中央图案、以及在所述第一基板侧面而且在所述周边基板侧面的第一边缘图案；以及第二导电层，其在所述第二基板侧面并且电连接至所述第一导电层；半导体晶粒，其包括第一晶粒侧面、与所述第一晶粒侧面相反并且耦接至所述第一基板侧面的第二晶粒侧面、以及多个延伸在所述第一晶粒侧面与所述第二晶粒侧面之间的周边晶粒侧面；以及导电的互连结构，其将所述半导体晶粒电连接至所述中央图案；囊封体，其在所述第一基板侧面上并且至少覆盖所述周边晶粒侧面。进一步地，所述半导体装置包括囊封体，所述囊封体在所述第一基板侧面上并且至少覆盖所述周边晶粒侧面。进一步地，其中所述第二导电层包括导电贯孔，其从所述第一导电层直接延伸至所述第二基板侧面。进一步地，其中所述第一导电层以及所述第二导电层中的一层是直接电镀在所述第一导电层以及所述第二导电层中的另一层上。进一步地，其中所述第一边缘图案包括所述第一导电层的连续的带，其覆盖所述第一基板侧面的整个周边。进一步地，其中所述第二导电层包括在所述周边基板侧面的第二边缘图案。进一步地，其中所述周边基板侧面中的至少一个是完全由所述第一边缘图案以及所述第二边缘图案所构成。进一步地，其中所述第二边缘图案具有不同于所述第一边缘图案的横向的宽度。进一步地，其中所述第二边缘图案比所述第一边缘图案较厚的。进一步地，其中所述第一导电层包括连接器图案，其连接所述中央图案以及所述第一边缘图案。

一种半导体装置，包括：基板，其包括：第一基板侧面、与所述第一基板侧面相反的第二基板侧面、以及多个延伸在所述第一基板侧面与所述第二基板侧面之间的周边基板侧面；中央图案，其在所述第一基板侧面被露出；多个导电贯孔，其连接至所述中央图案并且在所述第二基板侧面被露出；以及边缘图案，其在所述周边基板侧面被露出并且完全地环绕所述基板来延伸；以及半导体晶粒，其耦接至所述第一基板侧面。进一步地，其中所述边缘图案包括多个在所述周边基板侧面的导电层。进一步地，其中所述边缘图案包括：第一导电层，其在所述周边基板侧面并且具有第一宽度；以及第二导电层，其在所述周边基板侧面并且具有不同于所述第一宽度的第二宽度。进一步地，所述半导体装置包括连接图案，所述连接图案包括多个将所述边缘图案连接至所述中央图案的接地线路的线路。进一步地，所述半导体装置包括单一连续的层的模制材料，所述模制材料覆盖以下的每一个的至少一侧表面：所述中央图案、所述多个导电贯孔、以及所述边缘图案。进一步地，其中所述边缘图案在所述基板的整个周边周围形成连续的导电的带。

一种半导体装置，包括：基板，其包括：第一基板侧面、与所述第一基板侧面相反的第二基板侧面、以及多个延伸在所述第一基板侧面与所述第二基板侧面之间的周边基板侧面；第一导电层，其在所述第一基板侧面并且包括：在所述第一基板侧面的中央图案；以及边缘图案的第一部分，其在所述第一基板侧面并且在所述周边基板侧面；以及第二导电层，其在所述第二基板侧面并且包括：导电贯孔，其在所述第二基板侧面并且连接至所述中央图案；以及所述边缘图案的第二部分，其在所述第二基板侧面而且在所述周边基板侧面，并且连接至所述边缘图案的所述第一部分；以及半导体晶粒，其耦接至所述第一基板侧面。进一步地，其中所述第一导电层及第二导电层中的一层是直接电镀在所述第一导电层及第二导电层中的另一层上。进一步地，其中所述基板包括单一连续的介电层，其围绕所述第一导电层及第二导电层的侧表面。进一步地，其中所述周边基板侧面中的至少一个是完全由所述边缘图案所构成。

附图说明

图1是描绘根据本实用新型内容的各种特点的一种范例的半导体装置的横截面图。

图2是描绘一种制造图1的范例的半导体装置的范例的方法的流程图。