[实用新型]半导体装置有效
申请号: | 201720247767.3 | 申请日: | 2017-03-14 |
公开(公告)号: | CN206619592U | 公开(公告)日: | 2017-11-07 |
发明(设计)人: | 班文贝;欧坤锡 | 申请(专利权)人: | 艾马克科技公司 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L23/488;H01L21/56;H01L23/31 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人: | 许静,安利霞 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于,包括:
基板,其包括:
第一基板侧面、与所述第一基板侧面相反的第二基板侧面、以及多个延伸在所述第一基板侧面与所述第二基板侧面之间的周边基板侧面;
第一导电层,其在所述第一基板侧面并且包括在所述第一基板侧面的中央图案、以及在所述第一基板侧面而且在所述周边基板侧面的第一边缘图案;以及
第二导电层,其在所述第二基板侧面并且电连接至所述第一导电层;
半导体晶粒,其包括第一晶粒侧面、与所述第一晶粒侧面相反并且耦接至所述第一基板侧面的第二晶粒侧面、以及多个延伸在所述第一晶粒侧面与所述第二晶粒侧面之间的周边晶粒侧面;以及
导电的互连结构,其将所述半导体晶粒电连接至所述中央图案;
囊封体,其在所述第一基板侧面上并且至少覆盖所述周边晶粒侧面。
2.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,包括囊封体,所述囊封体在所述第一基板侧面上并且至少覆盖所述周边晶粒侧面。
3.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述第二导电层包括导电贯孔,其从所述第一导电层直接延伸至所述第二基板侧面。
4.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述第一导电层以及所述第二导电层中的一层是直接电镀在所述第一导电层以及所述第二导电层中的另一层上。
5.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述第一边缘图案包括所述第一导电层的连续的带,其覆盖所述第一基板侧面的整个周边。
6.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述第二导电层包括在所述周边基板侧面的第二边缘图案。
7.如权利要求6所述的半导体装置,其特征在于,所述周边基板侧面中的至少一个是完全由所述第一边缘图案以及所述第二边缘图案所构成。
8.如权利要求6所述的半导体装置,其特征在于,所述第二边缘图案具有不同于所述第一边缘图案的横向的宽度。
9.如权利要求6所述的半导体装置,其特征在于,所述第二边缘图案比所述第一边缘图案较厚的。
10.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述第一导电层包括连接器图案,其连接所述中央图案以及所述第一边缘图案。
11.一种半导体装置,其特征在于,包括:
基板,其包括:
第一基板侧面、与所述第一基板侧面相反的第二基板侧面、以及多个延伸在所述第一基板侧面与所述第二基板侧面之间的周边基板侧面;
中央图案,其在所述第一基板侧面被露出;
多个导电贯孔,其连接至所述中央图案并且在所述第二基板侧面被露出;以及
边缘图案,其在所述周边基板侧面被露出并且完全地环绕所述基板来延伸;以及
半导体晶粒,其耦接至所述第一基板侧面。
12.如权利要求11所述的半导体装置,其特征在于,所述边缘图案包括多个在所述周边基板侧面的导电层。
13.如权利要求11所述的半导体装置,其特征在于,所述边缘图案包括:
第一导电层,其在所述周边基板侧面并且具有第一宽度;以及
第二导电层,其在所述周边基板侧面并且具有不同于所述第一宽度的第二宽度。
14.如权利要求11所述的半导体装置,其特征在于,包括连接图案,所述连接图案包括多个将所述边缘图案连接至所述中央图案的接地线路的线路。
15.如权利要求11所述的半导体装置,其特征在于,包括单一连续的层的模制材料,所述模制材料覆盖以下的每一个的至少一侧表面:所述中央图案、所述多个导电贯孔、以及所述边缘图案。
16.如权利要求11所述的半导体装置,其特征在于,所述边缘图案在所述基板的整个周边周围形成连续的导电的带。
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