[实用新型]具有不均匀的气体流间隙的基板支撑组件

说明书

技术领域

本文所公开的实施方式一般涉及一种用于在处理腔室中的基板上制造膜的装置，并且更具体地是一种在处理腔室中使用以提供用于等离子体处理应用的不均匀的气体流的基板支撑组件。

背景技术

液晶显示器或平板常常用于有源矩阵显示器，诸如计算机、电视机、以及其它监视器。等离子体增强化学气相沉积(Plasma enhanced chemical vapor deposition；PECVD)用于在基板(诸如用于平板显示器的半导体晶片或透明基板)上沉积薄膜。PECVD一般通过将前驱气体或气体混合物引入容纳有基板的真空腔室中完成。前驱气体或气体混合物通常被向下引导而通过位于处理腔室顶部附近的分布板。通过给处理腔室中的电极施加来自耦接至所述电极的一个或多个电源的功率(诸如射频(radio frequency；RF)功率)，将处理腔室中的前驱气体或气体混合物激励(例如，激发)为等离子体。所激发的气体或气体混合物发生反应以在基板表面上形成材料层。所述层可为(例如)钝化层、栅极绝缘体、缓冲层、和/或蚀刻停止层。所述层可为更大结构(诸如，例如，用于显示设备中的薄膜晶体管(TFT)或有源矩阵有机发光二极管(active matrix organic light emitting diode；AMOLED))的一部分。

由PECVD技术处理的平板通常是大的。例如，平板可以超过4平方米。在沉积处理期间，产生等离子体以形成活性离子，以便将材料层沉积在基板上。等离子体可容易地在处理腔室中点燃，所述处理腔室利用电容耦合功率、感应耦合功率、或微波功率来激励气体以形成等离子体。然而，处理腔室中产生的等离子体以及气体流分布往往可能并非全部跨基板的整个表面均匀地分布。例如，等离子体或前驱气体流可以不总是延伸至基板的边缘，从而导致不同的边缘至中心处理速率。跨基板表面在不同位置的不均匀的等离子体或气体流分布可以导致置于基板上的目标处理材料的不对称或不均匀的处理轮廓，这会影响沉积均匀性和缺陷率。因此，跨基板表面的不均匀的等离子体或气体流分布最终可能导致缺陷，诸如特征变形、在基板上形成的所得的材料层的不均匀或不规则特征轮廓。另外，跨基板表面的不均匀的等离子体或气体流分布还会影响清洁的均匀性和效率，并且可以影响可移除的膜沉积物，导致剥落或过度清洁以及在清洁工艺期间腐蚀腔室部件。

因此，需要一种用于在等离子体工艺期间跨基板表面的可控制的等离子体或气体流分布控制的改进装置。

实用新型内容

本文所描述的实施方式一般涉及一种用于在等离子体处理腔室中使用的基板支撑组件，该基板支撑组件在基板支撑组件与等离子体处理腔室的侧壁之间提供可控制的不均匀的气体流。在一个实施方式中，基板支撑组件包括基板支撑组件，基板支撑组件包括：基板支撑主体，基板支撑主体限定基板支撑主体的至少第一侧面；以及角落区域和中心区域，角落区域和中心区域形成在基板支撑主体的第一侧面中，其中角落区域具有比中心区域的中心宽度小的角落宽度，宽度被限定在基板支撑主体的中心轴线与第一侧面之间。

在另一实施方式中，一种处理腔室包括腔室主体，腔室主体包括顶壁、侧壁和底壁所述顶壁、侧壁和底壁限定腔室主体中的处理区域；基板支撑组件，基板支撑组件被定位在处理区域中，基板支撑组件具有外部轮廓，外部轮廓被选择成相对于中心区域而向角落区域或相对于角落区域而向中心区域优选地引导更多的在基板支撑组件与侧壁之间经过的流；以及泵送端口，泵送端口设置成穿过腔室主体的在基板支撑组件下方的底壁。

在又一实施方式中，一种在处理腔室中控制不均匀的气体流的方法包括引导沉积气体流穿过限定在基板支撑组件与处理腔室的侧壁之间的角落间隙和中心间隙进入在处理腔室中限定的处理区域，其中气体流具有流经角落间隙的第一流速，所述第一流速大于穿过中心间隙的第二流速。

附图说明

因此，为了能够详细理解本实用新型的上述特征所用方式，上文所简要概述的本实用新型的更具体的描述可以参考实施方式进行，所述实施方式中的一些示出于附图中。然而，应当注意，附图仅示出了本实用新型的典型实施方式，并且因此不应视为对本实用新型的范围的限制，因为本实用新型可允许其它等效实施方式。

图1描绘了根据一个实施方式的处理腔室的横截面视图；

图2A至图2C描绘了在处理腔室中使用的基板支撑组件的不同示例的顶视图；

图3A至图3C描绘了利用图2A至图2C的基板支撑组件的不同示例的压力分布映射图；

图4A至图4C描绘了利用图2A至图2C的基板支撑组件的不同示例的气体流速度映射图；