[实用新型]一种紫外雪崩光电二极管探测器

权利要求书

1.一种紫外雪崩光电二极管探测器，其特征在于，所述探测器的每个器件单元从上至下依次包括CE电极、SiO₂层、P-well或N-well、衬底和背面电极；其中，所述P-well或N-well的上部中心设置有点状雪崩二极管，所述点状雪崩二极管与所述CE电极电连通；所述SiO₂层的外围周向设置有接地GND。

2.根据权利要求1所述的紫外雪崩光电二极管探测器，其特征在于，所述CE电极的面积小于所述SiO₂层的面积，所述接地GND设置在所述CE电极周向外侧的SiO₂层上。

3.根据权利要求1所述的紫外雪崩光电二极管探测器，其特征在于，所述探测器由N型或P型碳化硅单晶片制成。

4.根据权利要求3所述的紫外雪崩光电二极管探测器，其特征在于，所述碳化硅单晶片的厚度为100微米－0.5毫米。

5.根据权利要求1所述的紫外雪崩光电二极管探测器，其特征在于，所述P-well或N-well由离子注入或外延工艺制成，深度为0.1微米－5微米。

6.根据权利要求1所述的紫外雪崩光电二极管探测器，其特征在于，所述CE电极由金属电极或透明导电膜制成。

7.根据权利要求6所述的紫外雪崩光电二极管探测器，其特征在于，所述透明导电膜为氧化铟锡膜，其厚度为10纳米－10微米。