[实用新型]一种防止溢胶结构有效
申请号: | 201720194121.3 | 申请日: | 2017-03-01 |
公开(公告)号: | CN206490063U | 公开(公告)日: | 2017-09-12 |
发明(设计)人: | 卢丹;王向前 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 北京布瑞知识产权代理有限公司11505 | 代理人: | 孟潭 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 防止 胶结 | ||
技术领域
本实用新型涉及集成电路邦定领域,具体涉及一种内部电路连接电路板的防止溢胶结构。
背景技术
AMOLED是指有源矩阵有机发光二极体面板,AMOLED显示屏是指以AMOLED材料为主的显示屏。与传统的液晶面板显示屏相比,AMOLED显示屏具有反应速度较快、对比度更高、视角较广等优点。
图1所示为小尺寸AMOLED显示屏的邦定结构示意图。如图1所示,现有技术中,小尺寸AMOLED显示屏的(TFT)背板2的边缘会设置邦定区域,用于与(COF)柔性电路板1连接的背板电路输入输入信号线触点或电极的布设,(Encap)封装盖板7覆盖(TFT)背板2的主要非邦定区域,(COF)柔性电路板1上布设连接线路,具有连接触点的一端与(TFT)背板2的邦定区域配合固定,邦定过程即形成相应背板电路的屏体触点与柔性电路板的连接线路适配连接的过程,柔性电路板固定连接后通常向(TFT)背板2外侧延伸。
如图1所示,显示屏的邦定区域宽度相对较小,且设置在显示屏边缘,显示屏边缘在邦定区域两侧会形成弧度较大的圆角,在利用(ACF)异向导电胶膜胶对背板电路与柔性电路板进行邦定时,异向导电胶易溢出背板玻璃,造成机台本压背板存在异向导电胶残胶,且残胶会固定在本压背板上,如不进行清理,则下一片Cell放置在本压背板上面后,Cell的下表面高低不平,本压压头对Cell施加压力时,屏体破裂,如每一片Cell邦定后都进行清理,则会浪费时间,降低效率。
现有技术中,通常采用减小异向导电胶长度的方式来减少溢胶状况的发生,但还是会存在溢胶风险,并且可能会导致背板电路邦定区域与柔性电路板之间局部没有异向导电胶,从而出现导电性不良的情况。因此,如何有效防止溢胶显得尤为重要。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型实施例提供一种防止溢胶结构,解决现有技术中利用异向导电胶对背板电路与柔性电路板进行邦定时可能出现ACF胶易溢出TFT玻璃,从而对生产工序造成不良影响的问题。
本实用新型的防止溢胶结构,在TFT背板边缘设置邦定区域,在邦定区域的TFT背板边缘设置防溢凹槽,在防溢凹槽侧面的邦定区域边缘设置对称或顺序连接的挡墙。
所述防溢凹槽的两端对称设置挡墙,挡墙由所述TFT背板内延伸至TFT背板的边缘。
还包括覆盖贴合在TFT背板上的封装盖板,封装盖板的边缘开设与邦定区域轮廓相应的邦定缺口,邦定缺口处的封装盖板围绕邦定区域形成顺序连接的挡墙,邦定缺口的开口方向朝向防溢凹槽。
所述防溢凹槽的端部延伸至同侧的挡墙,与挡墙的侧面平齐。
所述防溢凹槽平滑弯曲,平滑弯曲的形状包括连续的正弦波形状、圆弧形状。
所述防溢凹槽端部的侧壁间距大于防溢凹槽中部的侧壁间距。
所述防溢凹槽中部的侧壁连通设置的附加凹槽,附加凹槽沿挡墙在邦定区域延伸,附加凹槽的侧壁间距小于防溢凹槽的侧壁间距。
所述邦定区域的TFT背板上设置纹理。
本实用新型实施例公开的防止溢胶结构,有效防止了溢胶现象的发生,消除了溢胶现象带来的诸多不良影响,提高了工作效率。同时形成对柔性电路板的导向和支撑。
附图说明
图1为现有技术中小尺寸AMOLED显示屏的结构示意图。
图2为本实用新型一实施例提供的防止溢胶结构的主视图。
图3为本实用新型一实施例提供的防止溢胶结构的左视剖面图。
图4为本实用新型另一实施例提供的防止溢胶结构的主视图。
图5为本实用新型另一实施例提供的防止溢胶结构的左视剖面图。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚、明白,以下结合附图及具体实施方式对本实用新型作进一步说明。显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
在本实用新型的实施例中,在TFT背板边缘设置邦定区域,邦定区域内设置屏体电极,在邦定区域的TFT背板边缘设置防溢凹槽,在防溢凹槽侧面的邦定区域边缘设置对称或顺序连接的挡墙。柔性电路板通过异向导电胶与屏体电极固定,柔性电路板覆盖防溢凹槽。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的