[实用新型]一种防止溢胶结构有效
| 申请号： | 201720194121.3 | 申请日： | 2017-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN206490063U | 公开（公告）日： | 2017-09-12 |
| 发明（设计）人： | 卢丹;王向前 | 申请（专利权）人： | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京布瑞知识产权代理有限公司11505 | 代理人： | 孟潭 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 防止 胶结 | ||
【权利要求书】：
1.一种防止溢胶结构，其特征在于，在TFT背板边缘设置邦定区域，在邦定区域的TFT背板边缘设置防溢凹槽，在防溢凹槽侧面的邦定区域边缘设置对称或顺序连接的挡墙。
2.如权利要求1所述的防止溢胶结构，其特征在于，所述防溢凹槽的两端对称设置挡墙，挡墙由所述TFT背板内延伸至TFT背板的边缘。
3.如权利要求1所述的防止溢胶结构，其特征在于，还包括覆盖贴合在TFT背板上的封装盖板，封装盖板的边缘开设与邦定区域轮廓相应的邦定缺口，邦定缺口处的封装盖板围绕邦定区域形成顺序连接的挡墙，邦定缺口的开口方向朝向防溢凹槽。
4.如权利要求1所述的防止溢胶结构，其特征在于，所述防溢凹槽的端部延伸至同侧的挡墙，与挡墙的侧面平齐。
5.如权利要求4所述的防止溢胶结构，其特征在于，所述防溢凹槽平滑弯曲，平滑弯曲的形状包括连续的正弦波形状、圆弧形状。
6.如权利要求4所述的防止溢胶结构，其特征在于，所述防溢凹槽端部的侧壁间距大于防溢凹槽中部的侧壁间距。
7.如权利要求4所述的防止溢胶结构，其特征在于，所述防溢凹槽中部的侧壁连通设置的附加凹槽，附加凹槽沿挡墙在邦定区域延伸，附加凹槽的侧壁间距小于防溢凹槽的侧壁间距。
8.如权利要求1所述的防止溢胶结构，其特征在于，所述邦定区域的TFT背板上设置纹理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
