[实用新型]一种三维硅基片式薄膜电容器

权利要求书

1.一种三维硅基片式薄膜电容器，其特征在于：包括硅基体(1)、微型孔洞(8)、氧化硅层(2)、氮化硅层(3)、顶部打底层(4)、顶部金层(5)、背部打底层(6)和背部金层(7)，所述硅基体(1)一侧为抛光面，该抛光面上设有若干个微形孔洞(8)；所述硅基体(1)的抛光面上设有氧化硅层(2)，在氧化硅层(2)上设有氮化硅层(3)；所述顶部打底层(4)设置在氮化硅层(3)上，在顶部打底层(4)上设置顶部金层(5)，所述背部打底层(6)设置在硅基体(1)的另一侧，在背部打底层(6)上设有背部金层(7)。

2.根据权利要求1所述的一种三维硅基片式薄膜电容器，其特征在于：所述基体(1)为硅材料，单面抛光，粗糙度要求0.05～0.1，晶向100。

3.根据权利要求1所述的一种三维硅基片式薄膜电容器，其特征在于：所述基体(1)为低阻率硅片，电阻率要求小于0.01Ω·cm，基片厚度不小于400μm。

4.根据权利要求1所述的一种三维硅基片式薄膜电容器，其特征在于：所述微形孔洞(8)的孔径2-10μm，孔深5-80μm。

5.根据权利要求1所述的一种三维硅基片式薄膜电容器，其特征在于：所述顶部打底层(4)和背部打底层(6)为钛钨合金，厚度150～200nm。

6.根据权利要求1所述的一种三维硅基片式薄膜电容器，其特征在于：所述顶部金层(5)厚度为2～4μm，采用电镀方式加厚。

7.根据权利要求1所述的一种三维硅基片式薄膜电容器，其特征在于：所述背部金层(7)采用溅射镀膜方式，厚度0.8～1.5μm。