[实用新型]一种幅移键控和相移键控复用调制模块

说明书

技术领域

本实用新型涉及无线通信技术领域，尤其涉及一种幅移键控和相移键控复用调制模块。

背景技术

无线通信技术随着个人消费类移动终端市场的迅速发展得到了极为广泛的应用。为了可靠有效的传输信息，需要对原始数据进行调制，在无线通信技术中，针对数字信号的传输，幅移键控(ASK，Amplitude Shift Keying)是一种简单而应用广泛的调制方式，ASK调制器在发射器和收发器芯片中得到普遍应用。ASK调制是将二进制信息调制到载波幅度上，其中，通断键控(OOK，On-Off Keying)是ASK最简单和最常见的一种形式。

另外，相移键控(PSK，Phase Shift Keying)调制技术，由于其很好的抗干扰性，在有衰落的信道中能获得很好的效果，在数据传输中，尤其是在中速和中高速的数传机(2400bit/s～4800bit/s)中得到了广泛的应用。

目前，通常采用单一的集成电路实现ASK调制或PSK调制，但是其应用灵活性较差，存在无法在同一集成电路中兼具上述两种调制方式的技术问题。

实用新型内容

本实用新型针对现有技术中存在的，在同一集成电路中无法兼具ASK调制和PSK调制方式的技术问题，提供了一种幅移键控和相移键控复用调制模块，实现了在同一集成电路中兼容ASK和PSK调制方式，控制器可根据用户的应用需求选择合适的调制方式。

本实用新型提供了一种幅移键控和相移键控复用调制模块，包括：控制器，与所述控制器连接的CMOS传输门电路和相位调节电路，以及分别与所述CMOS传输门电路和所述相位调节电路连接的整形电路；

所述控制器用于控制供电模块为所述CMOS传输门电路供电或为所述相位调节电路供电；

所述CMOS传输门电路用于在通电时，输入射频载波信号，并在所述控制器的控制下，对所述射频载波信号进行调制处理，以获得并输出幅移键控调制信号；

所述相位调节电路用于在通电时，输入射频载波信号，并对所述射频载波信号进行调制处理，以获得并输出相移键控调制信号；

所述整形电路用于在所述CMOS传输门电路通电时，对所述幅移键控调制信号进行整形处理，或者，在所述相位调节电路通电时，对所述相移键控调制信号进行整形处理，以获得并输出最终调制信号。

可选的，所述CMOS传输门电路包括：第一NMOS管和第一PMOS管；

其中，所述第一NMOS管的栅极通过非门与所述第一PMOS管的栅极连接，并与所述控制器连接；所述第一NMOS管的漏极与所述第一PMOS管的源极连接，用于输入所述射频载波信号；所述第一NMOS管的源极与所述第一PMOS管的漏极连接，用于输出所述幅移键控调制信号。

可选的，所述控制器包括：供电控制单元和调制控制单元；

所述供电控制单元与所述供电模块连接，用于控制供电模块为所述CMOS传输门电路供电或为所述相位调节电路供电；

所述调制控制单元与所述第一NMOS管的栅极连接，并通过所述非门与所述第一PMOS管的栅极连接，用于在所述CMOS传输门电路通电时，向所述CMOS传输门电路输出调制控制信号，以控制所述CMOS传输门电路对所述射频载波信号进行调制处理，进而获得并输出幅移键控调制信号。

可选的，所述相位调节电路包括：第二PMOS管、第一电容和第二电容；

所述第二PMOS管的栅极与所述第一电容连接，用于通过所述第一电容输入所述射频载波信号；所述第二PMOS管的漏极和源极连接、并通过所述第二电容接地；所述第二PMOS管的栅极、源极和漏极还与所述整形电路连接。

可选的，所述整形电路包括第二NMOS管、第三NMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管；

所述第三PMOS管的源极与电源电压连接；所述第三PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的漏极连接，并与所述CMOS传输门电路和所述相位调节电路连接；所述第三PMOS管的栅极与所述第二NMOS管的栅极连接，并与所述相位调节电路连接；所述第二NMOS管的源极接地；

所述第四PMOS管的源极与电源电压连接；所述第四PMOS管的漏极与所述第三NMOS管的漏极连接，并与所述第三PMOS管的栅极连接；所述第四PMOS管的栅极与所述第三NMOS管的栅极连接，用于输出所述最终调制信号；所述第三NMOS管的源极接地。

本实用新型中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：