[实用新型]一种幅移键控和相移键控复用调制模块

权利要求书

1.一种幅移键控和相移键控复用调制模块，其特征在于，包括：控制器(1)，与所述控制器(1)连接的CMOS传输门电路(2)和相位调节电路(3)，以及分别与所述CMOS传输门电路(2)和所述相位调节电路(3)连接的整形电路(4)；

所述控制器(1)用于控制供电模块(5)为所述CMOS传输门电路(2)供电或为所述相位调节电路(3)供电；

所述CMOS传输门电路(2)用于在通电时，输入射频载波信号(Sin)，并在所述控制器(1)的控制下，对所述射频载波信号(Sin)进行调制处理，以获得并输出幅移键控调制信号(Sask)；

所述相位调节电路(3)用于在通电时，输入射频载波信号(Sin)，并对所述射频载波信号(Sin)进行调制处理，以获得并输出相移键控调制信号(Spsk)；

所述整形电路(4)用于在所述CMOS传输门电路(2)通电时，对所述幅移键控调制信号(Sask)进行整形处理，或者，在所述相位调节电路(3)通电时，对所述相移键控调制信号(Spsk)进行整形处理，以获得并输出最终调制信号(Sout)。

2.如权利要求1所述的调制模块，其特征在于，所述CMOS传输门电路(2)包括：第一NMOS管(MN1)和第一PMOS管(MP1)；

其中，所述第一NMOS管(MN1)的栅极通过非门(NOT)与所述第一PMOS管(MP1)的栅极连接，并与所述控制器(1)连接；所述第一NMOS管(MN1)的漏极与所述第一PMOS管(MP1)的源极连接，用于输入所述射频载波信号(Sin)；所述第一NMOS管(MN1)的源极与所述第一PMOS管(MP1)的漏极连接，用于输出所述幅移键控调制信号(Sask)。

3.如权利要求2所述的调制模块，其特征在于，所述控制器(1)包括：供电控制单元(11)和调制控制单元(12)；

所述供电控制单元(11)与所述供电模块(5)连接，用于控制供电模块(5)为所述CMOS传输门电路(2)供电或为所述相位调节电路(3)供电；

所述调制控制单元(12)与所述第一NMOS管(MN1)的栅极连接，并通过所述非门(NOT)与所述第一PMOS管(MP1)的栅极连接，用于在所述CMOS传输门电路(2)通电时，向所述CMOS传输门电路(2)输出调制控制信号(Ctrl)，以控制所述CMOS传输门电路(2)对所述射频载波信号(Sin)进行调制处理，进而获得并输出幅移键控调制信号(Sask)。

4.如权利要求1所述的调制模块，其特征在于，所述相位调节电路(3)包括：第二PMOS管(MP2)、第一电容(C1)和第二电容(C2)；

所述第二PMOS管(MP2)的栅极与所述第一电容(C1)连接，用于通过所述第一电容(C1)输入所述射频载波信号(Sin)；所述第二PMOS管(MP2)的漏极和源极连接、并通过所述第二电容(C2)接地；所述第二PMOS管(MP2)的栅极、源极和漏极还与所述整形电路(4)连接。

5.如权利要求1所述的调制模块，其特征在于，所述整形电路(4)包括第二NMOS管(MN2)、第三NMOS管(MN3)、第三PMOS管(MP3)和第四PMOS管(MP4)；

所述第三PMOS管(MP3)的源极与电源电压(VDD)连接；所述第三PMOS管(MP3)的漏极与所述第二NMOS管(MN2)的漏极连接，并与所述CMOS传输门电路(2)和所述相位调节电路(3)连接；所述第三PMOS管(MP3)的栅极与所述第二NMOS管(MN2)的栅极连接，并与所述相位调节电路(3)连接；所述第二NMOS管(MN2)的源极接地；

所述第四PMOS管(MP4)的源极与电源电压(VDD)连接；所述第四PMOS管(MP4)的漏极与所述第三NMOS管(MN3)的漏极连接，并与所述第三PMOS管(MP3)的栅极连接；所述第四PMOS管(MP4)的栅极与所述第三NMOS管(MN3)的栅极连接，用于输出所述最终调制信号(Sout)；所述第三NMOS管(MN3)的源极接地。