[实用新型]多功能真空离子镀膜机有效

专利信息
申请号: 201720158499.8 申请日: 2017-02-22
公开(公告)号: CN206494965U 公开(公告)日: 2017-09-15
发明(设计)人: 张笑 申请(专利权)人: 上海仟纳真空镀膜科技有限公司
主分类号: C23C14/32 分类号: C23C14/32;C23C14/35
代理公司: 北京君泊知识产权代理有限公司11496 代理人: 王程远
地址: 201100 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 多功能 真空 离子 镀膜
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种镀膜机,特别是涉及一种多功能真空离子镀膜机。

背景技术

随着人们环保意识的提高,PVD这种优质环保镀膜技术越来越收到重视,其中的各种镀膜技术都有得到广泛的应用;PVD是通常称为物理气象沉积。PVD是指由于物理过程而发生的固体物质的沉积。PVD的方法也就是经由直接的传质将所需体沉积的物理材料传递至基体表面;等离子电弧(俗称电弧、多弧)沉积是指在一定的真空条件下,在靶材表面(所需要沉积的材料)产生弧光放电,从而引起靶材的物态变化,同时喷射出靶材原子、离子、熔融颗粒;优点:沉积离子的蒸发速率高、溅射的能量高;缺点:膜层较为粗糙;在制备金属碳化物涂层,由于靶材表面中毒,弧光不稳,甚至灭弧;溅射沉积是指在一定的真空条件下在靶材表面产生辉光放电,同时产生高能离子或中性原子来碰撞靶材,通过动能的传递导致某些物料从靶材表面溅射出来;优点:沉积的颗粒主要以原子为主,沉积的涂层较光滑;缺点:结合牢度较电弧差;气体离子源的应用也越来越收到较多的关注;气体离子源具有方向性,在其表面产生高密度的气体的等离子体;可以作为离子轰击工件清洗使用;也可以涂层沉积源来使用,例如可以用来制作DLC涂层;或者作为反应气体的离化源,作辅助沉积使用。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种多功能真空离子镀膜机,其通过脉冲偏压电源产生离子轰击实现工件的镀膜加工,可以制备纯金属膜、合金膜和反应膜层,应用的镀膜产品类型丰富,膜层附着均匀且附着效果好。

本实用新型是通过下述技术方案来解决上述技术问题的:多功能真空离子镀膜机,其包括真空室、电解传感器、导电工件转架、脉冲偏压电源、等离子电弧蒸发源、电弧电源、中频溅射源、溅射靶、溅射法兰、第一中频磁控溅射接口、第二中频磁控溅射接口、中频磁控溅射源、中频电源、气体离子源、灭弧检测器、零电位环,真空室固定在零电位环内,真空室上端固定有电解传感器,真空室下端固定有灭弧检测器,真空室表面固定有第一中频磁控溅射接口、第二中频磁控溅射接口、导电工件转架,中频磁控溅射源一端与第一中频磁控溅射接口相连,中频磁控溅射源另一端与第二中频磁控溅射接口相连,导电工件转架上固定有中频溅射源,等离子电弧蒸发源阳极与零电位环相连,等离子电弧蒸发源阴极与导电工件转架相连,电弧电源阳极与零电位环相连,电弧电源阴极连接至真空室,脉冲偏压电源阳极连接至真空室表面,脉冲偏压电源阴极与导电工件转架相连,溅射靶固定在真空室内部,溅射靶上固定有溅射法兰、八个中频电源、两个气体离子源。

优选地,所述第一中频磁控溅射接口为阳极中频磁控溅射接口,第二中频磁控溅射接口为阴极中频磁控溅射接口,从中频磁控溅射源溅射的中频溅射的正离子从第一中频磁控溅射接口进入真空室,真空室内的负离子从第二中频磁控溅射接口回到中频磁控溅射源中。

优选地,所述溅射法兰旋接在溅射靶上,通过转动溅射法兰调节溅射靶的溅射角度。

优选地,所述真空室上下两端分别设有一个连接筋,连接筋为导体材料制成。

优选地,所述八个中频电源依次排布在溅射靶表面且相邻两个中频电源的间距相等。

本实用新型的积极进步效果在于:本实用新型通过脉冲偏压电源产生离子轰击实现工件的镀膜加工,可以制备纯金属膜、合金膜和反应膜层,应用的镀膜产品类型丰富,膜层附着均匀且附着效果好。

附图说明

图1为本实用新型多功能真空离子镀膜机的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图给出本实用新型较佳实施例,以详细说明本实用新型的技术方案。

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