[实用新型]一种快恢复二极管有效
| 申请号： | 201720146713.8 | 申请日： | 2017-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN206558511U | 公开（公告）日： | 2017-10-13 |
| 发明（设计）人： | 余杰 | 申请（专利权）人： | 余杰 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人： | 逯长明,许伟群 |
| 地址： | 415100 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 恢复 二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种快恢复二极管，其特征在于，包括框架本体(1)、设置在所述框架本体(1)上的至少一个芯片(2)、带状导体(3)和引脚(4)，其中：
所述带状导体与所述芯片(2)和引脚(4)对应设置，所述带状导体(3)的两端的焊接面分别与所述芯片(2)和所述引脚(4)焊接，且所述焊接面设置在所述带状导体(3)两端与所述芯片(2)和引脚(4)接触面积较大的侧面。
2.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，所述带状导体(3)设置为长方体结构。
3.根据权利要求2所述的快恢复二极管，其特征在于，所述带状导体(3)的中间设置为圆柱形结构、两端设置为长方体结构。
4.根据权利要求2所述的快恢复二极管，其特征在于，所述带状导体(3)设置为铜或铝结构。
5.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，所述框架本体(1)包括依次设置的碳化硅衬底、介电材料层和耐火金属层。
6.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，所述框架本体(1)的表面还设置保护膜。
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