[实用新型]应用于功率器件的集成电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及集成电路技术领域，具体涉及一种应用于功率器件的集成电路。

背景技术

功率器件可以作为分立元件使用，但随着电子元件的小型化和多功能化，功率器件常常被集成于片内，其中，功率MOSFET是功率器件主要类型之一。例如，将功率MOS和控制模块集成于片内，功率MOS的各个极和控制模块通过引线(例如，铜线)与引线框架实现电气连接，且根据具体电路，功率MOS的至少栅极和控制模块采用引线连接。

基于上述现有技术，由于功率器件通常会承载集成电路中的大电流，采用现有技术中的引线连接，因引线的阻抗较大所以发热和耗能均较大，不利于芯片的散热和节能。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供一种散热性能好、有利于节能的应用于功率器件的集成电路，用以解决现有技术存在的发热和耗能较大的技术问题，以改善芯片性能。

本实用新型的技术解决方案是，提供一种以下结构的应用于功率器件的集成电路，包括功率器件、控制模块和引线框架，所述的引线框架包括基底和若干个引脚，所述的功率器件和控制模块均位于引线框架的基底上，功率器件的第一极与基底电连接，功率器件的第二极通过金属带与至少一个引脚电连接，所述控制模块与功率器件控制极和第二极电连接，控制模块与至少一个引脚电连接。

可选地，所述功率器件的第一极与基底的电连接通过与基底连接的至少一个引脚引出。

可选地，所述功率器件的第二极通过第一金属带和第二金属带与多个引脚电连接，该多个引脚之间电连接。

可选地，所述功率器件的第一极位于功率器件的背面，并与基底上的导电层相贴合，功率器件的第二极和控制极位于其正面。

可选地，所述的控制模块通过引线分别与基底、功率器件的第二极和控制极电连接。

可选地，将功率器件的第一极与基底的电连接引出的引脚输出表征所述功率器件状态的采样信号，将功率器件的第二极引出的引脚作为接地端。

可选地，所述功率器件为功率MOSFET，其第一级为漏极，其第二极为源极，其控制极为栅极。

采用本实用新型的结构，与现有技术相比，具有以下优点：本实用新型将功率器件和控制模块均置于基底上且集成于片内，由于功率器件需要承载较大电流，通过至少一条金属带与引脚连接，以降低阻抗并减少能耗，从而降低芯片温度，通过合理的电气连接和引脚布局，本实用新型在节能降温的基础上，还改善了电气连接的性能。

附图说明

图1为本实用新型应用于功率器件的集成电路的结构示意图；

图2为应用本实用新型的电源转换电路的电路示意图。

图中所示：1、功率器件，2、控制模块，3.1、基底，3.2、引脚，4.1、第一金属带，4.2、第二金属带，5、引线。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的优选实施例进行详细描述，但本实用新型并不仅仅限于这些实施例。本实用新型涵盖任何在本实用新型的精神和范围上做的替代、修改、等效方法以及方案。

为了使公众对本实用新型有彻底的了解，在以下本实用新型优选实施例中详细说明了具体的细节，而对本领域技术人员来说没有这些细节的描述也可以完全理解本实用新型。

在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本实用新型。需说明的是，附图均采用较为简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。

参考图1所示，示意了本实用新型应用于功率器件的集成电路的结构，包括功率器件1、控制模块2和引线框架，所述的引线框架包括基底3.1和若干个引脚3.2，所述的功率器件1和控制模块2均位于引线框架的基底3.1上，本实施例采用平铺方式，相比堆叠的方式，平铺方式可靠性更高。功率器件1的第一极(位于功率器件的下表面)与基底3.1电连接，并通过与基底连接的至少一个引脚SW引出。功率器件1的第二极S通过金属带与引脚GND电连接，所述控制模块2与功率器件1控制极G和第二极S电连接，控制模块2与引脚VCC电连接。

所述功率器件的第二极S通过第一金属带4.1和第二金属带4.2与多个引脚电连接，该多个引脚之间电连接，即图1中所示引脚GND。对于金属带的数量，可以根据封装结构的空间、引脚的数量和温升控制的预期目标等因素综合考虑和设置。所述的金属带一般采用铝带，但不限于这种材料。在工艺步骤上，采用先打金属带，再打引线。