[实用新型]层叠电容

权利要求书

1.一种层叠电容，其特征在于：该电容由有源区(AA)、多晶硅(P3)和多个工艺层金属层层交叠形成，其中相邻两工艺层交叠区域构成电容(C)，相邻两工艺层是电容(C)的两极板，所述层的厚度就是电容极板的厚度，所述层的层间介质就是电容(C)的电容介质，所述层间介质的厚度就是电容介质的厚度，多层的电容(C)并联构成层叠电容，不同工艺层在电容(C)两侧隔层互连。

2.如权利要求1所述的层叠电容，其特征在于，所述相邻两工艺层是指有源区(AA)和多晶硅(P3)，多晶硅(P3)和第一层金属(M1)，第一层金属(M1)和第二层金属(M2)，第二层金属(M2)和第三层金属(M3)，第三层金属(M3)和第四层金属(M4)。

3.如权利要求1所述的层叠电容，其特征在于，所述隔层互连是指有源区(AA)和M(n-1)层编号的金属在电容一侧连接，多晶硅(P3)和M(n)层编号的金属在电容另一侧连接，其中，n为偶数。

4.如权利要求3所述的层叠电容，其特征在于，所述隔层互连是指有源区(AA)、第一层金属(M1)、第三层金属(M3)在电容一侧连接，多晶硅(P3)、第二层金属(M2)、第四层金属(M4)在电容另一侧连接。

5.如权利要求1所述的层叠电容，其特征在于，所述层叠电容的容值可以通过调节相邻两工艺层交叠区域的面积来调整。

6.如权利要求5所述的层叠电容，其特征在于，所述相邻两工艺层交叠区域的面积大于9μm²且小于2500μm²，并且是正方形、矩形或者多边形，其中边长范围为3μm至50μm。

7.如权利要求1所述的层叠电容，其特征在于，所述层叠电容能够工作在15.5V的高压下。