[实用新型]一种AlGaInP发光二极管薄膜芯片结构有效
| 申请号： | 201720133322.2 | 申请日： | 2017-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN206602125U | 公开（公告）日： | 2017-10-31 |
| 发明（设计）人： | 李树强;江风益 | 申请（专利权）人： | 南昌大学;南昌黄绿照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/22 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所36100 | 代理人： | 张文 |
| 地址： | 330047 *** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 algainp 发光二极管 薄膜 芯片 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种AlGaInP发光二极管薄膜芯片结构，自下而上依次包括：P电极、键合基板、键合金属层、金属反射导电层、介质层、P面接触电极、P型电流扩展层、P型限制层、P侧空间层、多量子阱发光区、N侧空间层、N型限制层、N型粗化层、N型欧姆接触层、N电极，其特征在于：在N型限制层和N型粗化层之间设有N型电流扩展层。
2.根据权利要求1所述的AlGaInP发光二极管薄膜芯片结构，其特征在于：N型粗化层和N限制层之间的N型电流扩展层的厚度为2~4微米。
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