[实用新型]具有终端保护区的超结半导体器件

权利要求书

1.一种具有终端保护区的超结半导体器件，其特征是：在俯视平面上包括器件区域（01）、直边终端保护区（02）和拐角终端保护区（03），器件区域（01）被直边终端保护区（02）和拐角终端保护区（03）所包围，每个拐角终端保护区（03）与两个相互垂直的直边终端保护区（02）相邻；在截面方向上包括第一导电类型衬底和第一导电类型漂移层，在第一导电类型漂移层中设置超结结构；

在所述器件区域（01）中超结结构由第一导电类型第一柱和第二导电类型第一柱交替排布形成，第一导电类型第一柱和第二导电类型第一柱由半导体基板表面沿厚度方向延伸至第一导电类型漂移层内；在所述器件区域（01）的半导体基板表面设有多个不连续的第二导电类型第一体区，第二导电类型第一柱与对应的第二导电类型第一体区电性连通；

在所述直边终端保护区（02）中超结结构由第一导电类型第二柱和第二导电类型第二柱交替排布形成，第一导电类型第二柱和第二导电类型第二柱由半导体基板表面沿厚度方向延伸至第一导电类型漂移层内；在靠近器件区域（01）一侧具有与第二导电类型第一体区电性连通的第二导电类型第二体区，第二导电类型第二柱一端与第二导电类型第二体区交叠，并且第二导电类型第二柱向远离第二导电类型第二体区的方向延伸；

在所述拐角终端保护区（03）中超结结构由第一导电类型第三柱和第二导电类型第三柱交替排布形成，第一导电类型第三柱和第二导电类型第三柱由半导体基板表面沿厚度方向延伸至第一导电类型漂移层内；在俯视平面上，若干组由一对或几对第一导电类型第三柱和第二导电类型第三柱构成的超结结构组相互垂直，相互垂直的第二导电类型第三柱的一端与相邻且垂直的第二导电类型第三柱的相邻一端之间存在一定距离；

不同的第二导电类型第三柱相互之间电性不连通，并且第二导电类型第三柱与直边终端保护区第二导电类型第二柱电性不连通；

所述第二导电类型第二柱与第二导电类型第二体区交叠的一端与相邻器件区域的第二导电类型第一柱侧边具有顶部距离W10，W10取值小于或等于1/2×W3，W3为第一导电类型第一柱的顶部宽度；

相互垂直的第二导电类型第三柱的一端与相邻且垂直的第二导电类型第三柱的顶部距离为W11，W11取值介于1/2×W9和1/2×W9-（W7-W8）之间；其中，W7为第二导电类型第三柱的顶部宽度，W8为第二导电类型第三柱的底部宽度，W9为第一导电类型第三柱的顶部宽度。

2.如权利要求1所述的具有终端保护区的超结半导体器件，其特征是：所述第二导电类型第一柱顶部宽度W1相同，底部宽度W2相同；所述第一导电类型第一柱顶部宽度W3相同。

3.如权利要求2所述的具有终端保护区的超结半导体器件，其特征是：所述第二导电类型第二柱顶部宽度W4相同，底部宽度W5相同；所述第一导电类型第二柱顶部宽度W6相同。

4.如权利要求1所述的具有终端保护区的超结半导体器件，其特征是：所述第二导电类型第三柱顶部宽度W7相同，底部宽度W8相同；所述第一导电类型第三柱顶部宽度W9相同。

5.如权利要求1所述的具有终端保护区的超结半导体器件，其特征是：在所述第二导电类型第一体区内设置第一导电类型源区；在所述半导体基板表面设置有被栅氧化层和第一绝缘介质层包围的栅电极，在第一绝缘介质层上覆盖源极金属，源极金属与第二导电类型第一体区和第一导电类型源区欧姆接触；在所述直边终端保护区（02）和拐角终端保护区（03）表面覆盖第二绝缘介质层；在所述第一导致类型衬底的背面设置漏极金属，漏极金属与第一导电类型衬底欧姆接触，漏极金属遍布器件区域（01）、直边终端保护区（02）和拐角终端保护区（03）。

6.如权利要求1所述的具有终端保护区的超结半导体器件，其特征是：所述直边终端保护区中的第二导电类型第二柱与第二导电类型第二体区不交叠的部分向远离第二导电类型第二体区方向上的长度不小于第二导电类型第一柱从半导体材料表面向体内延伸的深度。

7.如权利要求1所述的具有终端保护区的超结半导体器件，其特征是：所述拐角终端保护区的边长不小于第二导电类型柱第一柱从半导体材料表面向体内延伸的深度。