[实用新型]一种测试结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体集成电路技术领域，特别涉及一种测试结构。

背景技术

随着半导体工艺技术的发展，半导体器件越来越集成化，半导体器件中的互连线的层数也越来越多，上下层的互连线通过通孔(Via)导电连通，而上下层的互连线的对齐偏差值会影响通孔的阻值，任何一个通孔的失效都可能影响半导体器件的性能。因此，在半导体制程中，测试上下层互连线的对齐偏差值至关重要。目前，业界针对上下层互连线的对齐偏差值的现有测试结构存在测试结果与实际对齐偏差值的拟合系数偏低的现象，即通过现有的测试结构得出的测试结果与实际对齐偏差值相差较大，这样，不利于半导体制程中发现问题和分析问题，测试的可靠性差。

因此，针对上下层互连线的对齐偏差值的测试需要提供一种改进的测试结构。

实用新型内容

本实用新型提供一种测试结构，可以提高测试值与实际值的拟合系数，可以更加真实而准确的反映出上下层互连线的对齐偏差情况，提高测试的可靠性。

为解决上述技术问题及其他相关问题，本实用新型提供的测试结构包括N组子测试结构，其中，N为正整数，且N≥2；

所述子测试结构包括至少一条具有第一线宽的第一互连线、至少一条具有第二线宽的第二互连线和至少一个通孔；其中，

所述通孔将所述第一互连线和第二互连线导电连通，所述通孔在第一方向上的第一宽度小于所述通孔在第二方向上的第二宽度，所述第一方向与第二方向相互垂直，且所述第一方向为所述第一互连线的宽度方向，所述第二方向为所述第一互连线的延伸方向；

所述第一互连线和第二互连线分别位于上下两层互连层中，所述第一互连线和第二互连线相互平行；以及

每组所述子测试结构中所述第一互连线和第二互连线的上下对齐偏差值不一致。

进一步，在所述测试结构中，所述第一宽度与所述第一互连线的第一线宽相等。

可选的，在所述测试结构中，所述第一宽度为30nm～100nm。

可选的，在所述测试结构中，所述第二宽度为所述第一宽度的1.1倍～3.5倍。

可选的，在所述测试结构中，所述通孔的形状为长方体。

进一步的，在所述测试结构中，所述第二互连线位于所述第一互连线的上方。

可选的，在所述测试结构中，至少一组所述子测试结构中的第二互连线位于所述第一互连线的正上方。

进一步的，在所述测试结构中，N组的所述上下对齐偏差值呈等差数列分布。

优选的，在所述测试结构中，所述等差数列的中间项为零。

优选的，在所述测试结构中，所述第一线宽与第二线宽相等。

可选的，在所述测试结构中，所述第一线宽与第二线宽均在30nm～150nm之间。

与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：

本实用新型通过优化用于上下层互连线连接的所述通孔的尺寸，即所述通孔在第一方向上的第一宽度小于所述通孔在第二方向上的第二宽度，所述第一方向为互连线的线宽的方向，所述第二方向为互连线延长的方向；同时，所述测试结构包括N组子测试结构，每组子测试结构中所述第一互连线和第二互连线的上下对齐偏差值不一致。在所述测试结构中，所述通孔的阻值稳定，通过所述测试结构可以提高上下层互连线的测试对齐偏差值与实际对齐偏差值的拟合系数，更加真实而准确的反映出半导体器件结构中上下层互连线的对齐偏差情况，提高测试的可靠性。

附图说明

图1a至图1c为发明人所熟知的第一种所述测试结构的俯视图和剖面示意图；

图2a至图2c为发明人所熟知的第二种所述测试结构的俯视图和剖面示意图；

图3a至图3c为本实用新型实施例中所述测试结构的俯视图和剖面示意图。

具体实施方式

理论上，上下层互连线的实际对齐偏差值(Mis-alignment，MA)与通孔的阻值是具有一定的相关性的，两者之间呈一“U形”函数分布。于是，可以通过测试通孔的阻值，结合理论上通孔的阻值与MA的函数关系，便可反推出上下层互连线的测试对齐偏差值(electrical Mis-alignment，eMA)，这种测试结构通常称为eMA结构。