[实用新型]一种测试结构有效
申请号: | 201720101762.X | 申请日: | 2017-01-25 |
公开(公告)号: | CN206432262U | 公开(公告)日: | 2017-08-22 |
发明(设计)人: | 徐俊杰 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人: | 屈蘅,李时云 |
地址: | 300385 天津市西青*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 测试 结构 | ||
1.一种测试结构,其特征在于:所述测试结构包括N组子测试结构,其中,N为正整数,且N≥2;
所述子测试结构包括至少一条具有第一线宽的第一互连线、至少一条具有第二线宽的第二互连线和至少一个通孔;其中,
所述通孔将所述第一互连线和第二互连线导电连通,所述通孔在第一方向上的第一宽度小于所述通孔在第二方向上的第二宽度,所述第一方向与第二方向相互垂直,且所述第一方向为所述第一互连线的宽度方向,所述第二方向为所述第一互连线的延伸方向;
所述第一互连线和第二互连线分别位于上下两层互连层中,所述第一互连线和第二互连线相互平行;以及
每组所述子测试结构中所述第一互连线和第二互连线的上下对齐偏差值不一致。
2.如权利要求1所述的测试结构,其特征在于,所述第一宽度与所述第一互连线的第一线宽相等。
3.如权利要求2所述的测试结构,其特征在于,所述第一宽度为30nm~100nm。
4.如权利要求1所述的测试结构,其特征在于,所述第二宽度为所述第一宽度的1.1倍~3.5倍。
5.如权利要求1所述的测试结构,其特征在于,所述通孔的形状为长方体。
6.如权利要求1至5中任意一项所述的测试结构,其特征在于,所述第二互连线位于所述第一互连线的上方。
7.如权利要求6所述的测试结构,其特征在于,至少一组所述子测试结构中的第二互连线位于所述第一互连线的正上方。
8.如权利要求1至5中任意一项所述的测试结构,其特征在于,N组的所述上下对齐偏差值呈等差数列分布。
9.如权利要求8所述的测试结构,其特征在于,所述等差数列的中间项为零。
10.如权利要求1至5中任意一项所述的测试结构,其特征在于,所述第一线宽与第二线宽相等。
11.如权利要求10所述的测试结构,其特征在于,所述第一线宽与第二线宽均在30nm~150nm之间。
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