[实用新型]一种适用于RFID标签的解调电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及RFID技术领域，尤其涉及一种适用于RFID标签的解调电路。

背景技术

射频识别(Radio Frequency Identification,RFID)是一种无需接触，通过近场的电感耦合或远场的电磁波传播实现物体识别和数据通信的技术。无源超高频RFID技术能提供大量低成本、大容量、小尺寸、高速率的标签，被广泛应用于零售、医疗健康、物联网、资产管理和消费电子等领域。

在RFID技术中，阅读器与标签之间的通信如下：阅读器先将数据进行调制后通过电磁波发送出去，RFID标签进入阅读器的发射场后需要把已调数据解调出来，从而接收阅读器发送的数据和指令。

目前，RFID标签的解调电路存在解调动态范围小，不能处理大范围变化信号的缺陷。

实用新型内容

本实用新型实施例所要解决的技术问题在于，针对现有RFID标签的解调电路解调动态范围小的缺陷，提供一种适用于RFID标签的解调动态范围大、功耗低、灵敏度高的解调电路。

为了解决上述技术问题，本实用新型实施例提供了一种适用于RFID标签的解调电路，包括：包络检波电路，用于提取发送至RFID标签的两路天线信号，并得到天线包络信号；均值产生电路，连接至所述包络检波电路，用于根据所述天线包络信号产生两路比较信号；比较电路，连接至所述均值产生电路，用于对输入的所述两路比较信号进行比较，进而产生比较结果；以及整形电路，连接至所述比较电路，用于对所述比较结果进行整形，从而输出解调信号。

优选地，所述包络检波电路包括：四个二极管D1～D4、电容C1和C2、PMOS管MP1、NMOS管MN1和电阻R1；二极管D1和D3的阳极分别连接至一路天线信号，二极管D1的阴极连接至电容C1的一端，二极管D3的阴极连接至电容的另一端并接地；二极管D2和D4的阳极分别连接至另一路天线信号，二极管D2的阴极连接至二极管D1的阴极，二极管D4的阴极连接至二极管D3的阴极；PMOS管MP1的漏极连接至二极管D1的阴极，PMOS管MP1的栅极和源极连接并连接至电阻R1的一端、NMOS管的栅极，电阻R1的另一端接地；NMOS管MN1的漏极连接至二极管D1的阴极，NMOS管源极接地；电容C2的一端连接至NMOS管MN1的漏极，电容C2的另一端接地；NMOS管MN1的漏极将天线包络信号(Out1)输出至所述均值产生电路。

优选地，所述均值产生电路包括:电容C3以及电阻R2；所述天线包络信号(Out1)输入至电阻R2的一端，电阻R2的另一端连接至电容C3的一端，电容C3的另一端接地；所述两路比较信号(Out2、Out3)分别从电阻R2的两端输出。

优选地，所述比较电路包括比较器芯片，比较器芯片的输入端分别接收所述两路比较信号(Out2、Out3)，比较器芯片的输出信号(Out4)输入至所述整形电路的输入端。

优选地，所述整形电路包括：PMOS管MP2和MP3、NMOS管MN2和MN3；PMOS管MP2和NMOS管MN2的栅极分别接收比较器的输出信号(Out4)，PMOS管MP2和MP3的漏极连接至供电电压(VDD)，PMOS管MP2的源极分别连接至NMOS管MN2的漏极、MN3的栅极以及PMOS管MP3的栅极，NMOS管MN2和MN3的源极接地，NMOS管MN3的漏极连接至PMOS管MP3的源极；解调信号(Out)从MNOS管MN3的漏极输出。

实施本实用新型实施例，具有如下有益效果：本实用新型通过包络检波电路提取电路从两路天线电压信号得到包络信号，利用均值产生电路得到两路包络信号，再输入到比较电路中得到包络信号变化边沿，最后由整形电路对调制信号进行整形，杜绝了天线包络信号的过冲对解调电路的影响，提高解调的精度，获得更好的调制信号波形，而且比较电路采用高动态范围的比较器芯片，使得解调的动态范围大。本实用新型解调电路还具有功耗低、灵敏度高、稳定性好的优势。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型提供的第一实施例解调电路结构方框图；

图2是本实用新型提供的包络检波电路结构图；

图3是本实用新型提供的均值产生电路结构图；

图4是本实用新型提供的整形电路结构图。

具体实施方式