[实用新型]一种适用于RFID标签的解调电路

权利要求书

1.一种适用于RFID标签的解调电路，其特征在于，包括：

包络检波电路，用于提取发送至RFID标签的两路天线信号(In1、In2)，并得到天线包络信号(Out1)；

均值产生电路，连接至所述包络检波电路，用于根据所述天线包络信号(Out1)产生两路比较信号(Out2、Out3)；

比较电路，连接至所述均值产生电路，用于对输入的所述两路比较信号(Out2、Out3)进行比较，进而产生比较结果(Out4)；以及

整形电路，连接至所述比较电路，用于对所述比较结果(Out4)进行整形，从而输出解调信号(Out)。

2.根据权利要求1所述的适用于RFID标签的解调电路，其特征在于，所述包络检波电路包括：四个二极管D1～D4、电容C1和C2、PMOS管MP1、NMOS管MN1和电阻R1；二极管D1和D3的阳极分别连接至一路天线信号，二极管D1的阴极连接至电容C1的一端，二极管D3的阴极连接至电容的另一端并接地；二极管D2和D4的阳极分别连接至另一路天线信号，二极管D2的阴极连接至二极管D1的阴极，二极管D4的阴极连接至二极管D3的阴极；PMOS管MP1的漏极连接至二极管D1的阴极，PMOS管MP1的栅极和源极连接并连接至电阻R1的一端、NMOS管的栅极，电阻R1的另一端接地；NMOS管MN1的漏极连接至二极管D1的阴极，NMOS管源极接地；电容C2的一端连接至NMOS管MN1的漏极，电容C2的另一端接地；NMOS管MN1的漏极将天线包络信号(Out1)输出至所述均值产生电路。

3.根据权利要求2所述的适用于RFID标签的解调电路，其特征在于，所述均值产生电路包括:电容C3以及电阻R2；所述天线包络信号(Out1)输入至电阻R2的一端，电阻R2的另一端连接至电容C3的一端，电容C3的另一端接地；所述两路比较信号(Out2、Out3)分别从电阻R2的两端输出。

4.根据权利要求3所述的适用于RFID标签的解调电路，其特征在于，所述比较电路包括比较器芯片，比较器芯片的输入端分别接收所述两路比较信号(Out2、Out3)，比较器芯片的输出信号(Out4)输入至所述整形电路的输入端。

5.根据权利要求4所述的适用于RFID标签的解调电路，其特征在于，所述整形电路包括：PMOS管MP2和MP3、NMOS管MN2和MN3；PMOS管MP2和NMOS管MN2的栅极分别接收比较器的输出信号(Out4)，PMOS管MP2和MP3的漏极连接至供电电压(VDD)，PMOS管MP2的源极分别连接至NMOS管MN2的漏极、MN3的栅极以及PMOS管MP3的栅极，NMOS管MN2和MN3的源极接地，NMOS管MN3的漏极连接至PMOS管MP3的源极；所述解调信号(Out)从MNOS管MN3的漏极输出。