[实用新型]一种适用于超高频RFID标签的上电复位电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及RFID技术领域，尤其涉及一种适用于超高频RFID标签的上电复位电路。

背景技术

射频识别(Radio Frequency Identification,RFID)是一种无需接触，通过近场的电感耦合或远场的电磁波传播实现物体识别和数据通信的技术。无源超高频RFID技术能提供大量低成本、大容量、小尺寸、高速率的标签，被广泛应用于零售、医疗健康、物联网、资产管理和消费电子等领域。

超高频RFID标签相对于高频RFID标签工作距离更远，容量更大，速率也更快，是下一代RFID标签的最佳选择。

在超高频RFID标签中，上电复位电路是RFID标签的关键模块之一，用来实现数字基带的复位和正常工作。

在现有的很多上电复位电路中，有些电路结构复杂，从而功耗和面积都比较大，有些没有防抖动功能，当复位电路的输入电压由于噪声等原因下降或发生抖动时，上电复位电路并不能有效地防止这些干扰。

实用新型内容

本实用新型实施例所要解决的技术问题在于，针对现有上电复位电路结构复杂或没有防抖动功能的缺陷，提供一种适用于超高频RFID标签的上电复位电路。

为了解决上述技术问题，本实用新型实施例提供了一种适用于超高频RFID标签的上电复位电路，包括：钳位电路，连接至在输入电压和地之间，用于钳制输入电压的值；复位信号产生电路，连接至所述钳位电路，用于在所述钳位电路的控制下产生复位信号；施密特触发器，连接至所述复位信号产生电路，用于防止所述输入电压下降时所述复位信号产生电路误操作；以及第一反相器，连接至所述施密特触发器，用于将所述施密特触发器的输出信号反向。

优选地，所述钳位电路包括：均以二极管方式连接的第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管以及第二MNOS管；所述第一PMOS管的源极连接所述输入电压，所述第一PMOS管的漏极连接所述第二PMOS管的源极，所述第二PMOS管的漏极连接所述第一NMOS管的漏极，所述第一NMOS管的源极连接所述第二NMOS管的漏极，所述第二NMOS管的源极接地。

优选地，所述复位信号产生电路包括:电容、第三PMOS管和第三NMOS管；所述电容的两端分别连接至所述第一PMOS管的漏极和地；所述第三PMOS管的源极连接供电电压，所述第三PMOS管的栅极接地，所述第三PMOS管的漏极连接所述第三NMOS管的漏极；所述第三NMOS管的栅极连接所述第一PMOS管的漏极，所述第三NMOS管的源极接地。

优选地，所述施密特触发器包括：第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管；所述第四PMOS管的源极连接至所述供电电压，所述第四PMOS管的漏极分别连接至所述第五PMOS管的源极和所述第六PMOS管的源极；所述第五PMOS管的漏极分别连接至所述第四NMOS管的漏极、所述第六PMOS管的栅极、所述第六NMOS管的栅极和所述第一反相器的输入端；所述第六PMOS管的漏极接地；所述第四NMOS管的源极分别连接至所述第五NMOS管的漏极和所述第六NMOS管的源极；所述第五NMOS管的源极接地；所述第六NMOS管的漏极连接所述供电电压；所述第四PMOS管的栅极、所述第五PMOS管的栅极、所述第四NMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极连接至所述第三NMOS管的漏极。

优选地所述的适用于超高频RFID标签的上电复位电路还包括：连接在所述施密特触发器和所述第一反相器之间的处理电路；所述处理电路包括：第二反相器、第三反相器和异或电路；所述第二反相器的输入端连接至所述施密特触发器的输出端，所述第二反相器的输出端连接至所述第三反相器的输入端，所述第三反相器的输出端连接至所述异或电路的一个输入端；所述异或电路的另一个输入端连接至所述施密特触发器的输出端，所述异或电路的输出端连接至所述第一反相器的输入端。

实施本实用新型实施例，具有如下有益效果：本实用新型通过施密特触发器，可有效防止输入信号的抖动对复位信号的干扰。通过钳位电路，可有限降低电路中的电流大小，从而降低电路的功耗。因此，本实用新型上电复位电路结构简单、功耗低、面积小。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。