[实用新型]一种适用于超高频RFID标签的上电复位电路

权利要求书

1.一种适用于超高频RFID标签的上电复位电路，其特征在于，包括：

钳位电路，连接至在输入电压和地之间，用于钳制输入电压的值；

复位信号产生电路，连接至所述钳位电路，用于在所述钳位电路的控制下产生复位信号；

施密特触发器，连接至所述复位信号产生电路，用于防止所述输入电压下降时所述复位信号产生电路误操作；以及

第一反相器，连接至所述施密特触发器，用于将所述施密特触发器的输出信号反向。

2.根据权利要求1所述的适用于超高频RFID标签的上电复位电路，其特征在于，所述钳位电路包括：均以二极管方式连接的第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管以及第二NMOS管；所述第一PMOS管的源极连接所述输入电压，所述第一PMOS管的漏极连接所述第二PMOS管的源极，所述第二PMOS管的漏极连接所述第一NMOS管的漏极，所述第一NMOS管的源极连接所述第二NMOS管的漏极，所述第二NMOS管的源极接地。

3.根据权利要求2所述的适用于超高频RFID标签的上电复位电路，其特征在于，所述复位信号产生电路包括:电容、第三PMOS管和第三NMOS管；所述电容的两端分别连接至所述第一PMOS管的漏极和地；所述第三PMOS管的源极连接供电电压，所述第三PMOS管的栅极接地，所述第三PMOS管的漏极连接所述第三NMOS管的漏极；所述第三NMOS管的栅极连接所述第一PMOS管的漏极，所述第三NMOS管的源极接地。

4.根据权利要求3所述的适用于超高频RFID标签的上电复位电路，其特征在于，所述施密特触发器包括：第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS 管；

所述第四PMOS管的源极连接至所述供电电压，所述第四PMOS管的漏极分别连接至所述第五PMOS管的源极和所述第六PMOS管的源极；

所述第五PMOS管的漏极分别连接至所述第四NMOS管的漏极、所述第六PMOS管的栅极、所述第六NMOS管的栅极和所述第一反相器的输入端；

所述第六PMOS管的漏极接地；

所述第四NMOS管的源极分别连接至所述第五NMOS管的漏极和所述第六NMOS管的源极；

所述第五NMOS管的源极接地；

所述第六NMOS管的漏极连接所述供电电压；

所述第四PMOS管的栅极、所述第五PMOS管的栅极、所述第四NMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极连接至所述第三NMOS管的漏极。

5.根据权利要求1所述的适用于超高频RFID标签的上电复位电路，其特征在于，还包括：连接在所述施密特触发器和所述第一反相器之间的处理电路；所述处理电路包括：第二反相器、第三反相器和异或电路；所述第二反相器的输入端连接至所述施密特触发器的输出端，所述第二反相器的输出端连接至所述第三反相器的输入端，所述第三反相器的输出端连接至所述异或电路的一个输入端；所述异或电路的另一个输入端连接至所述施密特触发器的输出端，所述异或电路的输出端连接至所述第一反相器的输入端。