[实用新型]一体式干蚀刻清洁设备

说明书

技术领域

本新型为涉及一种清洁设备，尤指一种一体式干蚀刻清洁设备。

背景技术

干蚀刻通常是一种电浆蚀刻，电浆蚀刻中的蚀刻作用，可能是电浆中离子撞击芯片表面的物理作用，或者可能是电浆中活性自由基与芯片表面原子间的化学反应，甚至也可能是这两者之间的复合作用。

而随着半导体封装产业的发展，会将多种材料整合在一起使用，进而得到多种材料的特性，目前常见的材料如环氧封装材料(Epoxy Molding Compounds，简称EMC)，其组成物包含有环氧树脂、充填物、硬化剂、促进剂、触媒及其它添加剂等，将此材料导入了干蚀刻工艺中，会因蚀刻材料的选择比差异大，而于蚀刻后留下大量的充填物。

于目前的工艺中，完成蚀刻工艺后，即会进行包装而运送至下一个下游厂商进行后续工艺，但因蚀刻而产生的充填物会对其他相关工艺造成污染，而导致产品良率下降，因此，如何防止充填物污染其他工艺实为一大课题。

实用新型内容

本新型的主要目的，在于解决充填物污染其他工艺的问题。

为达上述目的，本新型提供一种一体式干蚀刻清洁设备，是用以对一基材进行蚀刻，并清洁去除该基材进行蚀刻后产生的一充填物，该一体式干蚀刻清洁设备包含有一传输模块、一蚀刻模块以及一湿式清洁模块，该传输模块加载、载出该基材，该蚀刻模块连接于该传输模块并对该基材进行蚀刻，该湿式清洁模块连接该蚀刻模块与该传输模块并清洁去除该充填物。

所述的一体式干蚀刻清洁设备，其特征在于更包含有一与该蚀刻模块连接的压力控制单元。

所述的一体式干蚀刻清洁设备，更包含有一与该蚀刻模块连接的气体供应单元。

所述的一体式干蚀刻清洁设备，更包含有一设备前端模块，该设备前端模块连接于该传输模块、该蚀刻模块以及该湿式清洁模块，该蚀刻模块、该湿式清洁模块设置于相对该传输模块的一侧。

所述的一体式干蚀刻清洁设备，更包含有一设置于该设备前端模块以输送该基材的机械手臂。

所述的一体式干蚀刻清洁设备，该传输模块与该设备前端模块之间设有一第一闸门，该设备前端模块与该蚀刻模块之间设有一第二闸门，该蚀刻模块与该湿式清洁模块之间设有一第三闸门，该湿式清洁模块与该设备前端模块之间设有一第四闸门。

所述的一体式干蚀刻清洁设备，更包含有一连接于该湿式清洁模块的清洗液供应单元。

所述的一体式干蚀刻清洁设备，该蚀刻模块与该湿式清洁模块之间设有一第三闸门。

所述的一体式干蚀刻清洁设备，该传输模块包含有一加载该基材的加载单元以及一载出该基材的载出单元。

综上所述，本新型于该蚀刻模块对该基材蚀刻后，直接送入该湿式清洁模块中清洗，而可以直接于同一设备中完成蚀刻与清洁工艺，以防止产生的该充填物对其他相关工艺造成污染。

附图说明

图1，为本新型一较佳实施例的结构示意图。

图2A～2D，为本新型一较佳实施例的运作流程示意图。

具体实施方式

涉及本新型的详细说明及技术内容，现就配合图式说明如下：

请参阅图1及图2A至图2D所示，本新型为一种一体式干蚀刻清洁设备，是用以对一基材1进行蚀刻，并清洁去除该基材1进行蚀刻后产生的一充填物，其中，该基材1的材质可以为环氧封装材料、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(Acrylonitrile Butadiene Styrene，简称ABF)及聚酰亚胺(Polyimide，简称PI)等，该充填物于本实施例中，是为进行该环氧封装材料等材质进行蚀刻后而产生的粉尘，而该一体式干蚀刻清洁设备包含有一传输模块10、一蚀刻模块20以及一湿式清洁模块30，该传输模块10用以加载、载出该基材1，该蚀刻模块20连接于该传输模块10并对该基材1进行蚀刻，该湿式清洁模块30连接该蚀刻模块20与该传输模块10并清洁去除该充填物。如此一来，可以直接在同一个工艺设备中，清洁去除因蚀刻工艺所产生的该充填物，而可以防止该充填物对其他工艺造成污染。

于本实施例中，更包含有一设备前端模块50(the equipment front-end module,EFFM)，该设备前端模块50连接于该传输模块10、该蚀刻模块20以及该湿式清洁模块30，且该蚀刻模块20、该湿式清洁模块30则设置于相对该传输模块10的一侧，即为分设于该设备前端模块50的相对两侧，而该设备前端模块50内还设置有一机械手臂51，以输送该基材1进出于各模块。