[实用新型]一体式干蚀刻清洁设备有效
| 申请号： | 201720072923.7 | 申请日： | 2017-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN206422050U | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 刘品均;杨峻杰;陈松醮;蔡明展;林子平 | 申请（专利权）人： | 友威科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 王玉双,李岩 |
| 地址： | 中国台湾桃源市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 体式 蚀刻 清洁 设备 | ||
1.一种一体式干蚀刻清洁设备，是用以对一基材进行蚀刻，并清洁去除该基材进行蚀刻后产生的一充填物，其特征在于该一体式干蚀刻清洁设备包含有：
一加载、载出该基材的传输模块；
一连接该传输模块并对该基材进行蚀刻的蚀刻模块；以及
一连接该蚀刻模块与该传输模块并清洁去除该充填物的湿式清洁模块。
2.根据权利要求1所述的一体式干蚀刻清洁设备，其特征在于，更包含有一与该蚀刻模块连接的压力控制单元。
3.根据权利要求1所述的一体式干蚀刻清洁设备，其特征在于，更包含有一与该蚀刻模块连接的气体供应单元。
4.根据权利要求1所述的一体式干蚀刻清洁设备，其特征在于，更包含有一设备前端模块，该设备前端模块连接于该传输模块、该蚀刻模块以及该湿式清洁模块，该蚀刻模块、该湿式清洁模块设置于相对该传输模块的一侧。
5.根据权利要求4所述的一体式干蚀刻清洁设备，其特征在于，更包含有一设置于该设备前端模块以输送该基材的机械手臂。
6.根据权利要求4所述的一体式干蚀刻清洁设备，其特征在于，该传输模块与该设备前端模块之间设有一第一闸门，该设备前端模块与该蚀刻模块之间设有一第二闸门，该蚀刻模块与该湿式清洁模块之间设有一第三闸门，该湿式清洁模块与该设备前端模块之间设有一第四闸门。
7.根据权利要求1所述的一体式干蚀刻清洁设备，其特征在于，更包含有一连接于该湿式清洁模块的清洗液供应单元。
8.根据权利要求1所述的一体式干蚀刻清洁设备，其特征在于，该蚀刻模块与该湿式清洁模块之间设有一第三闸门。
9.根据权利要求1所述的一体式干蚀刻清洁设备，其特征在于，该传输模块包含有一加载该基材的加载单元以及一载出该基材的载出单元。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
