[实用新型]新型镀膜治具

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种真空蒸镀设备，具体为一种新型镀膜治具。

背景技术

蒸镀法是属于一种物理气相沉积的真空镀膜技术。通常是将蒸镀的材料直接放在坩埚里或者放置于衬锅之中，再将衬锅放在坩埚之中（如图1所示），通过对材料进行施加热能，使材料从固态转化为气态的原子、原子团或分子，然后凝聚在到待镀膜的基片表面形成薄膜，该技术广泛应用于太阳能薄膜、半导体晶片、平板显示、光学晶片等多个领域。Shutter遮板是蒸镀设备所使用的重要元件之一。

蒸镀金属过程中部分金属在镀膜前会采取先将其预熔为液体的方式（比如Au）。预熔过程中需要关闭遮板防止蒸镀到镀膜样品。遮板的位置过高就会在预熔阶段从遮板侧面偷渡到样品表面导致样品失效。遮板的位置过低也有可能导致电子枪打到遮板上将遮板打穿污染源。

一般侧镀为镀膜技术领域中较为普遍的异常之一。为防止此异常发生，需将遮板位置根据机台状况进行标定。

实用新型内容

针对上述技术问题，本实用新型公开一种新型镀膜治具，火山口内盛放坩埚，坩埚盛放蒸镀源后放置在火山口内，遮板在火山口之上，其特征在于：所述治具在火山口的上表面设置测量柱。

优选地，所述测量柱至少为三根。

优选地，所述遮板为圆形。

优选地，所述测量柱与坩埚中心的水平距离为遮板的半径。

优选地，所述测量柱具备上下移动的功能。

优选地，所述测量柱具有刻度。

与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：准确定位遮板高度，操作简单；杜绝侧镀异常的发生，减少因侧镀发生而造成的质量问题。

附图说明

图1为本实用新型的镀膜治具之火山口俯视示意图。

图2为本实用新型的镀膜治具之遮板工作示意图。

图3为本实用新型的镀膜治具之整体结构主视示意图。

图示说明：1、火山口，2、遮板，3、坩埚，4、蒸镀源，5、电子枪，6、火山口上表面，7、测量柱，8、二次吸收板，9、摇臂。

具体实施方式

以下结合实施例来进一步解释本实用新型，但实施例并不对本实用新型做任何限定。

下面结合附图对本实用新型做进一步的详细说明，以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。

如图1~3所示，本实用新型公开一种新型镀膜治具，适合应用在PVD镀膜机台中。治具包括火山口1和遮板2；火山口1内盛放坩埚3，坩埚3里盛放蒸镀源4后放置在火山口1内，在镀膜过程中，蒸镀源4被电子枪5的电子激发，蒸发后附着在待镀膜产品的表面。遮板2在火山口1之上，在需要时可以控制开启或关闭，用于阻隔蒸镀源4蒸发，治具在火山口上表面6设置测量柱7，用于测量遮板2的高度，进一步控制遮板2和蒸镀源4的距离。 根据本实施例优选的测量柱7为不少于三根，优选为三根，三根测量柱7构成三角形分布。利用在遮板2为关闭状态时，遮板2遮挡在火山口1内蒸镀源4上方，火山口1与遮板2为同心圆，三点可确认一个圆的原理，从而标定出三个点的位置。在三个点的位置沿Z轴延伸设计出相应的测量柱7作为柱状标尺。每次确认遮板2高度只需要确认三个点的高度一致即可。

本实用新型的遮板2优选为圆形，圆形的半径作为测量柱7与坩埚3中心的水平距离，当遮板2碰到测量柱7时，遮板2正好与三根测量柱7相接触，除了高度测量外也请到固定遮板2水平位置的作用，避免遮板2因为水平位置的偏差导致蒸镀异常。测量柱7可以在马达驱动控制下上下移动多个固定数值，遮板2也可以设置为具备水平移动的功能以满足不同遮板2的需求，以实现遮板2不同高度的量化控制，同时测量柱7上可以设置有刻度值，实现直观读取遮板2高度的功能。

尽管本实用新型的实施方案已公开如上，但其并不仅仅限于说明书和实施方式中所列运用，它完全可以被适用于各种适合本实用新型的领域，对于熟悉本领域的人员而言， 可容易地实现另外的修改，因此在不背离权利要求及等同范围所限定的一般概念下，本实用新型并不限于特定的细节和这里示出与描述的图例。