[实用新型]一种NTC热敏电阻温度传感器芯片有效

专利信息
申请号: 201720063980.9 申请日: 2017-01-19
公开(公告)号: CN206387512U 公开(公告)日: 2017-08-08
发明(设计)人: 栾信清 申请(专利权)人: 合肥市恒新基电子有限公司
主分类号: G01K7/22 分类号: G01K7/22
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 230000 安徽省合肥*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 ntc 热敏电阻 温度传感器 芯片
【说明书】:

技术领域

本实用新型属于热敏电阻芯片技术领域,具体涉及一种NTC热敏电阻温度传感器芯片。

背景技术

NTC意思是负的温度系数,泛指负温度系数很大的半导体材料或元器件,所谓NTC热敏电阻器就是负温度系数热敏电阻器。它是以过渡金属氧化物为主要原材料,采用先进陶瓷工艺制造而成的。这些金属氧化物材料都具有半导体性质,因为在导电方式上完全类似锗、硅等半导体材料。温度低时,这些氧化物材料的载流子(电子和孔穴)数目少,所以其电阻值较高;随着温度的升高,载流子数目增加,所以电阻值降低。NTC热敏电阻器在室温下的变化范围在10O~1000000欧姆,温度系数-2%~-6.5%。利用这些特性,NTC热敏电阻器可广泛应用于温度测量、温度补偿、抑制浪涌电流等场合,这样就需要精度高的芯片,但是现有NTC热敏电阻温度传感器通常需要芯片进行处理数据,这样就需要良好的耐热循环能力的芯片,因此,发明一种NTC热敏电阻温度传感器芯片,来解决上述问题很有必要。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种NTC热敏电阻温度传感器芯片,以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种NTC热敏电阻温度传感器芯片,包括热敏芯片本体,所述热敏芯片本体包括热敏半导体陶瓷,所述热敏半导体陶瓷的上下两侧包裹有玻璃封层,所述热敏芯片本体的两端设有银端头,所述热敏芯片本体嵌在银端头的内部,所述银端头的外侧包裹有镍阻挡层,所述镍阻挡层的外侧设有镀金层,所述镀金层的外侧包裹有环氧封装壳体,所述环氧封装壳体上开有引脚口,所述引脚口上设有引脚。

优选的,所述镍阻挡层、银端头和镀金层的形状为U形。

优选的,所述引脚设置为三组。

优选的,所述环氧封装壳体的下底部设有焊点。

本实用新型的技术效果和优点:该NTC热敏电阻温度传感器芯片,通过在热敏半导体陶瓷的外侧设置的玻璃封层、镍阻挡层、银端头和镀金层,明显的提高了芯片的抗干扰性能,并且散热性能好,玻璃封层防止热敏半导体陶瓷裸露在空气中,防止潮湿、盐雾和腐蚀性气体等恶劣的环境使半导体陶瓷老化,从而影响芯片的性能,该实用新型设计合理,结构简单,稳定性高,精度高,值得大力推广。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图;

图2为本实用新型的立体结构图;

图3为本实用新型的热敏芯片本体背面结构示意图。

图中:1热敏芯片本体、2玻璃封层、3镍阻挡层、4银端头、5镀金层、6引脚、7环氧封装壳体、8引脚口、9焊点、10热敏半导体陶瓷。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。

本实用新型提供了如图1-3所示的一种NTC热敏电阻温度传感器芯片,包括热敏芯片本体1,所述热敏芯片本体1包括热敏半导体陶瓷10,所述热敏半导体陶瓷10的上下两侧包裹有玻璃封层2,所述热敏芯片本体1的两端设有银端头4,所述热敏芯片本体1嵌在银端头4的内部,所述银端头4的外侧包裹有镍阻挡层3,所述镍阻挡层3的外侧设有镀金层5,所述镀金层5的外侧包裹有环氧封装壳体7,所述环氧封装壳体7上开有引脚口8,所述引脚口8上设有引脚6。

进一步地,所述镍阻挡层3、银端头4和镀金层5的形状为U形。

进一步地,所述引脚6设置外三组。

进一步地,所述环氧封装壳体7的下底部设有焊点9。

工作原理:使用时,将温度传感器,接在芯片的引脚6上,通过在热敏半导体陶瓷10的外侧设置的玻璃封层2、镍阻挡层3、银端头4和镀金层5,明显的提高了芯片的抗干扰性能,并且散热性能好,玻璃封层2防止热敏半导体陶瓷10裸露在空气中,防止潮湿、盐雾和腐蚀性气体等恶劣的环境使半导体陶瓷老化,从而影响芯片的性能,该实用新型设计合理,结构简单,稳定性高,精度高,值得大力推广。

最后应说明的是:以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已,并不用于限制本实用新型,尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

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