[实用新型]纳米铜碳基屏蔽罩罩体有效
申请号: | 201720058675.0 | 申请日: | 2017-01-17 |
公开(公告)号: | CN206433325U | 公开(公告)日: | 2017-08-22 |
发明(设计)人: | 郭志军 | 申请(专利权)人: | 苏州鸿凌达电子科技有限公司 |
主分类号: | H05K9/00 | 分类号: | H05K9/00 |
代理公司: | 昆山四方专利事务所32212 | 代理人: | 盛建德,段新颖 |
地址: | 215300 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 纳米 铜碳基 屏蔽 罩罩体 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种屏蔽导热件,具体是涉及一种纳米铜碳基屏蔽罩罩体。
背景技术
在电子终端中,广泛应用有屏蔽罩,来为电子终端中某些电子器件提供电磁屏蔽作用。目前,屏蔽罩通常采用金属屏蔽罩,比如不锈钢或镀锡钢带(马口铁皮)等,由支腿及罩体组成,支腿与罩体为活动连接;但被金属屏蔽罩遮掩的电子器件,散热会更加困难。如何解决屏蔽罩内电子器件的散热均热问题,是目前的一个技术难点。
发明内容
为了解决上述技术问题,本实用新型提出一种纳米铜碳基屏蔽罩罩体,可替代传统的屏蔽罩的罩体(或称为上盖),在具有较好的屏蔽功能的同时,还可以起到导热均热、导电的效果。
本实用新型的技术方案是这样实现的:
一种纳米铜碳基屏蔽罩罩体,包括经纳米工艺处理的纳米铜箔、依次形成于所述纳米铜箔一侧的用于热辐射吸收导热的纳米导热材料涂层及用于实现导电的纳米导电材料涂层和依次形成于所述纳米铜箔相对的另一侧的用于增强空间辐射热的吸收的热辐射低酸均热层及用于实现贴敷及导电的纳米导电胶涂层。
进一步的,所述纳米铜箔采用电解法制取,其厚度为25-55um,电解过程中,铜的粒度控制在600-800nm。
进一步的,所述纳米导电材料涂层包含45-60%固含量的石墨烯,该纳米导电材料涂层厚度为0.5-2.5um。
进一步的,所述纳米导热涂层包含55-75%固含量的膨胀石墨粉,所述纳米导热涂层的厚度为3-5um。
进一步的,所述热辐射低酸均热层包含25-45%固含量的氮化硼及45-65%固含量的石墨粉,所述热辐射低酸均热层的厚度为1-3um。
本实用新型的有益效果是:本实用新型提供一种纳米铜碳基屏蔽罩罩体,采用纳米铜箔作为屏蔽盖的基材,并在纳米铜箔一侧涂布了用于热辐射吸收导热的纳米导热材料涂层及用于实现导电的纳米导电材料涂层,在在纳米铜箔另一侧涂布了用于增强空间辐射热的吸收的热辐射低酸均热层及纳米导电胶涂层,来达到完全替代原有的金属屏蔽材料,除了达到屏蔽效果外,同时还可以起到导热均热的效果。本实用新型罩体可以根据底座(支脚)大小模切成型,贴敷到底座上面就可以。
附图说明
图1为本实用新型中纳米铜碳基屏蔽罩罩体示意图。
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本实用新型的技术内容,特举以下实施例详细说明,其目的仅在于更好理解本实用新型的内容而非限制本实用新型的保护范围。实施例附图的结构中各组成部分未按正常比例缩放,故不代表实施例中各结构的实际相对大小。
如图1所示,一种纳米铜碳基屏蔽罩罩体,包括经纳米工艺处理的纳米铜箔1、依次形成于所述纳米铜箔一侧的用于热辐射吸收导热的纳米导热材料涂层2及用于实现导电的纳米导电材料涂层3和依次形成于所述纳米铜箔相对的另一侧的用于增强空间辐射热的吸收的热辐射低酸均热层4及用于实现贴敷及导电的纳米导电胶涂层5。这样,采用纳米铜箔作为屏蔽盖的基材,并在纳米铜箔一侧涂布了用于热辐射吸收导热的纳米导热材料涂层及用于实现导电的纳米导电材料涂层,在纳米铜箔另一侧涂布了用于增强空间辐射热的吸收的热辐射低酸均热层及纳米导电胶涂层,来达到完全替代原有的金属屏蔽材料,除了达到屏蔽效果外,同时还可以起到导热均热的效果。本实用新型罩体可以根据底座(支脚)大小模切成型,贴敷到底座上面就可以。
优选的,所述纳米铜箔采用电解法制取,其厚度为25-55um,电解过程中,铜的粒度控制在600-800nm。这样,通过该纳米工艺处理的纳米铜箔具有良好的金属屏蔽性能及导热导电性能。
优选的,所述纳米导电材料涂层包含45-60%固含量的石墨烯,该纳米导电材料涂层厚度为0.5-2.5um。该纳米导电材料涂层包含45-60%固含量的石墨烯,具有较好的导电性,此外,该纳米导电材料涂层可采用50-65%固含量的聚氨酯粘合胶粘体(或环氧树脂胶粘体),3-8%固含量的二甲基硅油消泡剂(或聚丙烯酸酯消泡剂),2-4%固含量的9510、9101分散剂等与45-60%固含量的石墨烯一起组成涂布用的浆料。
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