[实用新型]纳米铜碳基屏蔽罩罩体有效
| 申请号： | 201720058675.0 | 申请日： | 2017-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN206433325U | 公开（公告）日： | 2017-08-22 |
| 发明（设计）人： | 郭志军 | 申请（专利权）人： | 苏州鸿凌达电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H05K9/00 | 分类号： | H05K9/00 |
| 代理公司： | 昆山四方专利事务所32212 | 代理人： | 盛建德,段新颖 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米 铜碳基 屏蔽 罩罩体 | ||
【权利要求书】：
1.一种纳米铜碳基屏蔽罩罩体，其特征在于：包括经纳米工艺处理的纳米铜箔(1)、依次形成于所述纳米铜箔一侧的用于热辐射吸收导热的纳米导热材料涂层(2)及用于实现导电的纳米导电材料涂层(3)和依次形成于所述纳米铜箔相对的另一侧的用于增强空间辐射热的吸收的热辐射低酸均热层(4)及用于实现贴敷及导电的纳米导电胶涂层(5)。
2.根据权利要求1所述的纳米铜碳基屏蔽罩罩体，其特征在于：所述纳米铜箔采用电解法制取，其厚度为25-55um，电解过程中，铜的粒度控制在600-800nm。
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