[实用新型]硅胶基导热储热片

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种屏蔽导热件，具体是涉及一种硅胶基导热储热片。

背景技术

导热硅胶可广泛涂覆于各种电子产品，电器设备中的发热体(功率管、可控硅、电热堆等)与散热设施(散热片、散热条、壳体等)之间的接触面，起传热媒介作用和防潮、防尘、防腐蚀、防震等性能。硅胶本身具有很好的储热功能，但是其导热是垂直方向的，在快速导热时，存在一定的不足。

发明内容

为了解决上述技术问题，本实用新型提出一种硅胶基导热储热片，实现了良好的导热储热的功能。

本实用新型的技术方案是这样实现的：

一种硅胶基导热储热片，包括导热硅胶片，所述导热硅胶片两面均敷有一层纳米铜碳，所述纳米铜碳包括经纳米工艺处理的纳米铜箔、依次形成于所述纳米铜箔一侧的用于热辐射吸收导热的纳米导热材料涂层及用于实现绝缘的纳米绝缘材料涂层和形成于所述纳米铜箔相对的另一侧的用于增强空间辐射热的吸收的热辐射低酸均热层，所述热辐射低酸均热层与所述导热硅胶片接触。

进一步的，所述导热硅胶片的厚度为0.5-25mm，所述纳米铜碳的厚度为25-75um。

进一步的，所述纳米铜箔采用电解法制取，其厚度为25-55um，电解过程中，铜的粒度控制在600-800nm。

进一步的，所述纳米导热涂层包含55-75％固含量的膨胀石墨粉，所述纳米导热涂层的厚度为3-5um。

进一步的，所述纳米绝缘材料涂层包含45-60％固含量的氮化硼，所述纳米绝缘材料涂层厚度为0.5-2.5um。

进一步的，所述热辐射低酸均热层包含25-45％固含量的氮化硼及45-65％固含量的石墨粉，所述热辐射低酸均热层的厚度为1-3um。

进一步的，所述导热硅胶片的主要性能参数为：硬度为35-75 Shore 00，耐温范围为-35-215C，密度为1.35-1.85g/cm³，介电性能(耐电压)为>3KV，导热性能为1.0-2.0W/M-K，自粘性为20-35Pa.s。

本实用新型的有益效果是：本实用新型提供一种硅胶基导热储热片，通过在导热硅胶片两面均复合涂敷一层纳米铜碳，利用纳米铜碳在垂直和水平方向的导热优良性，弥补了导热硅胶的一些不足，同时结合硅胶体的厚度优势，实现了导热储热的性能。该纳米铜碳采用纳米铜箔作为导热基材，并在纳米铜箔一侧涂布了用于热辐射吸收导热的纳米导热材料涂层及用于实现绝缘的纳米绝缘材料涂层，在纳米铜箔另一侧涂布了用于增强空间辐射热的吸收的热辐射低酸均热层，在垂直和水平方向具有良好的导热性能。

附图说明

图1为本实用新型中硅胶基导热储热片示意图。

图2为本实用新型中纳米铜碳结构示意图。

具体实施方式

为了能够更清楚地理解本实用新型的技术内容，特举以下实施例详细说明，其目的仅在于更好理解本实用新型的内容而非限制本实用新型的保护范围。实施例附图的结构中各组成部分未按正常比例缩放，故不代表实施例中各结构的实际相对大小。

如图1和图2所示，一种硅胶基导热储热片，包括导热硅胶片1，所述导热硅胶片两面均敷有一层纳米铜碳2，所述纳米铜碳包括经纳米工艺处理的纳米铜箔21、依次形成于所述纳米铜箔一侧的用于热辐射吸收导热的纳米导热材料涂层22及用于实现绝缘的纳米绝缘材料涂层23和形成于所述纳米铜箔相对的另一侧的用于增强空间辐射热的吸收的热辐射低酸均热层24，所述热辐射低酸均热层与所述导热硅胶片接触。这样，通过在导热硅胶片两面均复合涂敷一层纳米铜碳，利用纳米铜碳在垂直和水平方向的导热优良性，弥补了导热硅胶的一些不足，同时结合硅胶体的厚度优势，实现了导热储热的性能。该纳米铜碳采用纳米铜箔作为导热基材，并在纳米铜箔一侧涂布了用于热辐射吸收导热的纳米导热材料涂层及用于实现绝缘的纳米绝缘材料涂层，在纳米铜箔另一侧涂布了用于增强空间辐射热的吸收的热辐射低酸均热层，在垂直和水平方向具有良好的导热性能。

优选的，所述导热硅胶片的厚度为0.5-25mm，所述纳米铜碳的厚度为25-75um。该纳米铜碳的厚度结合硅胶的厚度，可实现较好的导热储热功能。

优选的，所述纳米铜箔采用电解法制取，其厚度为25-55um，电解过程中，铜的粒度控制在600-800nm。这样，通过该纳米工艺处理的纳米铜箔具有良好的金属屏蔽性能及导热导电性能。