[实用新型]硅胶基导热储热片有效
| 申请号： | 201720058355.5 | 申请日： | 2017-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN206490962U | 公开（公告）日： | 2017-09-12 |
| 发明（设计）人： | 郭志军 | 申请（专利权）人： | 苏州鸿凌达电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H05K9/00 | 分类号： | H05K9/00;H05K7/20 |
| 代理公司： | 昆山四方专利事务所32212 | 代理人： | 盛建德,段新颖 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅胶 导热 储热片 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅胶基导热储热片，其特征在于：包括导热硅胶片(1)，所述导热硅胶片两面均敷有一层纳米铜碳(2)，所述纳米铜碳包括经纳米工艺处理的纳米铜箔(21)、依次形成于所述纳米铜箔一侧的用于热辐射吸收导热的纳米导热材料涂层(22)及用于实现绝缘的纳米绝缘材料涂层(23)和形成于所述纳米铜箔相对的另一侧的用于增强空间辐射热的吸收的热辐射低酸均热层(24)，所述热辐射低酸均热层与所述导热硅胶片接触。
2.根据权利要求1所述的硅胶基导热储热片，其特征在于：所述导热硅胶片的厚度为0.5-25mm，所述纳米铜碳的厚度为25-75um。
3.根据权利要求1或2所述的硅胶基导热储热片，其特征在于：所述纳米铜箔采用电解法制取，其厚度为25-55um，电解过程中，铜的粒度控制在600-800nm。
4.根据权利要求1或2所述的硅胶基导热储热片，其特征在于：所述导热硅胶片的主要性能参数为：硬度为35-75Shore 00，耐温范围为-35-215C，密度为1.35-1.85g/cm3，介电性能(耐电压)为>3KV，导热性能为1.0-2.0W/M-K，自粘性为20-35Pa.s。
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