[实用新型]扩散器及PECVD设备

说明书

本申请是申请日为“2014年6月19日”、申请号为“201420328916.5”、题为“锌减少的喷头”的分案申请。

技术领域

本文所述的实施例通常涉及用于处理腔室中的具有减少的锌含量的铝合金喷头。喷头可被用于适用于制造低温多晶硅(low temperature polysilicon；LTPS)液晶显示器(liquid crystal displays；LCD)或LTPS有机发光二极管(organic light emitting diode；OLED)显示器的处理腔室中，所述显示器可通过薄膜晶体管(thin film transistors；TFT)控制。更具体地说，本文所述的实施例涉及锌减少的喷头。

背景技术

当前对TFT阵列的关注特别高，因为这些装置可在常常使用于计算机和电视平板的LCD种类中使用。LCD也可包含发光二极管(light emitting diode；LED)，所述发光二极管诸如用于背光照明的OLED。LED和OLED需要用于解决显示器活动的TFT。

LTPS显示器通常需要在高温下的处理以沉积多晶硅。在处理期间颗粒产生的共用来源是由于装置中铜迁移的铜金属污染。然而，颗粒污染的其他来源可能在处理期间存在。在处理期间存在的颗粒可能降低TFT装置的性能。

因此，在本技术领域中需要的是在TFT装置制造期间减少颗粒污染的设备。

实用新型内容

在一个实施例中，本实用新型提供了用于处理半导体基板的扩散器。扩散器可包含主体，所述主体包含铝合金，其中铝合金包含小于或等于0.01重量百分比的锌。

在另一实施方式中，提供一种用于等离子体增强化学气相沉积腔室的扩散器。扩散器可包含主体，所述主体包含铝合金，所述铝合金包含小于或等于0.01重量百分比的锌，其中扩散器可适于操作在具有高于400℃的温度的环境中。

附图说明

因此，以可详细地理解本案的上述特征的方式，可参考实施例获得上文简要概述的本案的更特定描述，所述实施例中的一些实施例图示在附图中。然而，应注意，附图仅图示本案的典型实施例且因此不将附图视为限制本案的范畴，因为本案可允许其他同等有效的实施例。

图1是根据本文所述的某些实施例的PECVD腔室的截面示意图；

图2A至图2C是根据本文所述的某些实施例的在生产的各个阶段的TFT的示意横截面图；和

图3是根据本文所述的某些实施例的控制LCD像素或OLED的TFT的截面示意图。

图4是具有锌材料沉积在背板上的背板的一部分的灰度图。

图5是大体上无锌材料沉积在背板上的背板的一部分的灰度图。

图6是图示具有锌材料沉积在腔室上的腔室的一部分的元素分析的图形。

参考图1是图4所示灰度图的彩色照片。

参考图2是图5所示灰度图的彩色照片。

为了便于理解，在可能的情况下，已使用相同元件符号来指定对诸图共用的相同元件。可以预期，在一个实施例中公开的元件可在无需特定叙述的情况下有利地用于其他实施例。

具体实施方式

本文所述的实施例通常涉及用于半导体处理腔室中的具有减少的锌含量的铝喷头，或扩散器。基于LTPS的LCD或基于LTPS的OLED通常是由TFT控制。在TFT制造期间的处理腔室中的颗粒污物可能降低TFT的工作能力和可靠性。锌减少的喷头可降低在处理腔室之内的锌颗粒的存在和提高TFT装置性能。

所公开的实施例在下文中说明性地描述为用于处理系统中，所述处理系统诸如可从AKT America获得的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统，AKT America是位于加利福尼亚圣克拉拉(Santa Clara,California)的应用材料公司(Applied Materials,Inc.)的分部。然而，应理解，所公开的实施例在其他系统配置中也有所应用，所述其他系统配置包括由其他制造商销售的那些系统配置。