[实用新型]光掩模坯料和光掩模组有效
申请号: | 201720040773.1 | 申请日: | 2017-01-13 |
公开(公告)号: | CN206594443U | 公开(公告)日: | 2017-10-27 |
发明(设计)人: | 桥本昌典 | 申请(专利权)人: | 株式会社SK电子 |
主分类号: | G03F1/42 | 分类号: | G03F1/42 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光掩模 坯料 模组 | ||
技术领域
本实用新型涉及主要用于平板显示器等的光掩模坯料和光掩模组。
背景技术
在平板显示器等电子显示器的制造步骤中,为了缩减光刻的步骤数量,降低制造成本,使用称为半色调掩模(或灰色调掩模)的多灰度等级的光掩模。半色调掩模由透射部、遮光部和具有透射部和遮光部之间的光透射率的半透射部构成,能够在一次曝光中在转印对象的光致抗蚀剂上形成曝光量不同的图形。
在制造这种半色调掩模的情况下,为了对遮光膜和半透射膜分别进行图形化,需要在一个光掩模坯料上刻画多个图形。为了形成多个图形,需要图形间重合。因此,利用刻画装置在光掩模坯料刻画第一图形时,也同时刻画对准标记,在利用刻画装置刻画第二图形时,与该对准标记对准,刻画第二图形。
另外,在作为产品的电子器件的制造步骤中,有使用不同的光掩模的多个光刻步骤,需要在由前步骤的光刻步骤形成的图形上重合由后步骤的光刻步骤形成的图形。
在制造这种光刻步骤中使用的光掩模的情况下,考虑应该刻画的图形形状以及制造成本和交货期,使用最适于各个光掩模的制造的刻画装置来制造。另外,在掩模制造厂商的光掩模的制造现场,为了约束给作为顾客的器件厂商的交货期,提高总处理能力,且更重要的是与没有预期的装置故障对应,确保多台刻画装置,制造光掩模。如果使用同一刻画装置制造光掩模,则例如在电子器件制造步骤中必须限定于能够刻画最微细的图形的一台刻画装置制造光掩模,致使制造成本显著提高,实际上不能保证交货期。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2014-81409号公报
专利文献2:日本特开2013-222811号公报
实用新型内容
实用新型想要解决的技术问题
目前,在如半色调掩模那种需要多个图形的刻画的光掩模中,刻画各图形时产生重合误差(对准误差)。另外,例如,在光掩模上刻画用于制造产品的转印图形的情况下,依赖于刻画装置,在所转印的图形自身上也会产生误差。例如,即使通过由不同的装置厂商制造的刻画装置刻画相同的图形,也会产生尺寸的变动或形状的变形之类的误差。
这些图形刻画中的误差(图形自身的误差和重合误差)的特性实际上依赖于刻画图形的装置而有所不同。因此,在不同的刻画装置间使这些误差的特性一致是非常困难的,特别是在刻画装置的制造厂商不同的情况下,实际上不可能使这些误差的特性一致。
为了提高图形的重合精度,文献1中公开有使图形的位置偏移倾向一致,提高重合精度的方法。但是,使用相同的光掩模形成不同的图形的情况,由于限制能够应用的图形,所以不能应用于制造具有各种图形的现实的产品的工艺。另外,还公开有在半色调掩模的制造步骤中防止对准错误的方法,但需要暂定图形和第二次刻画图形的组合,不仅图形形成非常复杂,而且限定能够应用的图形,所以不能应用于现实的产品的制造工艺。
另外,在文献2中只公开通过提高对准标记的检测精度,提高重合精度的技术,对于提高通过具有不同的重合误差特性的不同的刻画装置刻画的图形的重合精度的技术没有公开。
在任何文献中,对于降低具有不同的误差特性的不同的刻画装置间的重合误差的技术都没有公开,另外,对于降低图形误差的技术完全没有提及。
本实用新型是鉴于上述课题而开发的,其目的在于,提供即使使用不同的刻画装置,也能够以较高的对准精度实现精密的转印图形的光掩模坯料。
用于解决课题的技术方案
本实用新型提供一种光掩模坯料,其特征在于:
包括至少位于四边形的顶点的4个对准图形,
由所述各对准图形的坐标位置构成的基准数据信息与记录于所述坯料的坐标位置或识别所述坯料的识别信息相关联。
光掩模坯料包括成为基准的各对准图形,且与对各对准图形实际测定的坐标位置的基准数据信息相关联,因此,能够以使光掩模制造时的转印图形的误差的特性一致,能够制造降低了重合误差的半色调掩模等的多灰度光掩模。
所述4个对准图形位于下述4个基准点:
从构成所述光掩模坯料的端面的四边中交叉的第一边和第二边分别离开第一距离和第二距离的第一基准点;
从所述第二边和所述第一基准点分别离开第三距离和第四距离的第二基准点;
从所述第一基准点在与连接所述第一基准点和所述第二基准点的基准边垂直的方向上离开第五距离的第三基准点;和
从所述第二基准点在与所述基准边垂直的方向上离开第六距离的第四基准点。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备